兆电子伏超快电子衍射的理论与实验研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| ·超快电子衍射(UED、)简介 | 第10-17页 |
| ·电子与x射线探针的特点 | 第10-11页 |
| ·UED的基本原理 | 第11-13页 |
| ·UED的现状与应用 | 第13-15页 |
| ·keV UED性能的局限和发展趋势 | 第15-17页 |
| ·兆电子伏(MeV)UED简介 | 第17-24页 |
| ·MeV UED的原理和特点 | 第18-19页 |
| ·MeV UED的发展现状 | 第19-22页 |
| ·MeV UED研发中的挑战 | 第22-24页 |
| ·论文工作的主要内容与创新点 | 第24-27页 |
| ·论文主要工作 | 第24-26页 |
| ·论文珠创新点 | 第26-27页 |
| 第2章 MeV UED的理论分析与模拟优化 | 第27-64页 |
| ·MeV 电子与物质的弹性散射和衍射 | 第27-33页 |
| ·电子的波动性与波长 | 第27-28页 |
| ·弹性散射和衍射的几何描述 | 第28-30页 |
| ·弹性散射截面与平均自由程 | 第30-32页 |
| ·MeV 电子的非弹性散射与辐射损伤 | 第32-33页 |
| ·MeV UED的模拟研究方法 | 第33-43页 |
| ·粒子跟踪模拟方法 | 第34-39页 |
| ·典型参数和电子束团的演化 | 第39-43页 |
| ·逆空间分辨率的分析与优化 | 第43-55页 |
| ·逆空间分辨率的定义 | 第43-44页 |
| 2 3 2 逆空间分辨率的优化原则和方法 | 第44-49页 |
| ·空间电荷效应对衍射样斑的影响 | 第49-52页 |
| ·横向与纵向空间电荷效应的比例关系 | 第52-55页 |
| ·时间分辨率的分析与优化 | 第55-62页 |
| ·UED时间分辨率的传统定义 | 第55-56页 |
| ·微波枪中电子的纵向运动 | 第56-60页 |
| 2 4 3 Mev uED时间分辨率的定义和优化 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第3章 s波段MeV UED系统与实验研究 | 第64-86页 |
| ·系统布局与关键部件 | 第64-75页 |
| ·光阴极微波枪与螺线管线圈 | 第65-68页 |
| ·束流准直孔 | 第68-69页 |
| ·衍射样品与支撑结构 | 第69-70页 |
| ·微波偏转腔 | 第70-72页 |
| ·探测器系统 | 第72-74页 |
| ·其他束测与控制元件 | 第74-75页 |
| ·实验结果与分析 | 第75-82页 |
| ·高质量单发衍射样斑 | 第76-78页 |
| ·衍射环畸变的分析与处理 | 第78-81页 |
| ·衍射环峰位的偏移 | 第81-82页 |
| ·两轮实验的比较与讨论 | 第82-84页 |
| ·小结 | 第84-86页 |
| 第4章 连续时间分辨(CTR)模式Mev uED | 第86-110页 |
| ·CTR模式概述 | 第86-89页 |
| ·CTR模式的原理与特点 | 第86-87页 |
| ·CTR模式的研究现状 | 第87-89页 |
| ·理论分析与模拟优化研究 8 | 第89-98页 |
| ·CTR模式的时间分辨率 | 第89-91页 |
| ·多晶样品CTR模式的系统布局 | 第91-93页 |
| ·CTR模式的模拟研究 | 第93-98页 |
| ·多晶铝样品CTR模式实验 | 第98-104页 |
| ·单晶金样品CTR模式实验 | 第104-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 第5章 结论 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第119-120页 |
