| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| ·太阳盲波段的紫外探测介绍 | 第11-13页 |
| ·半导体紫外光电探测器件 | 第13-22页 |
| ·太阳盲区紫外探测器的研究现状 | 第22-29页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 紫外探测器制备设备、工艺和测试系统 | 第31-51页 |
| ·MgZnO 薄膜的制备技术 | 第31-32页 |
| ·紫外探测器器件制备工艺 | 第32-34页 |
| ·半导体薄膜性质表征手段 | 第34-46页 |
| ·半导体紫外探测器性能参数测试手段 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 氧气流量对生长立方相 MgZnO 薄膜的影响 | 第51-59页 |
| ·不同氧气流量(Ⅱ/Ⅳ)对Zn(Mg)O 薄膜的结晶质量的影响 | 第52-54页 |
| ·不同氧气流量(Ⅲ/Ⅳ)对Zn(Mg)O 薄膜的表面形貌的影响 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 高质量单晶 MgZnO 薄膜的生长及器件制备 | 第59-75页 |
| ·高质量单晶立方相MgZnO 薄膜的生长及表征 | 第60-66页 |
| ·高响应度低暗电流MgZnO 基日盲探测器的制备 | 第66-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 氧化镁衬底上实现高质量 MgZnO 薄膜的外延生长及器件研究 | 第75-89页 |
| ·MgO 衬底上不同组分立方相MgZnO 薄膜的外延生长 | 第75-78页 |
| ·高组分MgZnO 薄膜的准同质外延生长及相关器件研究 | 第78-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第6章 基于MgZnO/n-Si 异质结的光伏型日盲探测器的研制 | 第89-97页 |
| ·N 型Si 衬底上立方相MgZnO 薄膜的生长制备 | 第89-91页 |
| ·基于MgZnO/n-Si 异质结的光伏型日盲探测器的研制 | 第91-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第8章 结论与展望 | 第97-99页 |
| ·论文总结 | 第97-98页 |
| ·展望 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-105页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第105-107页 |
| 指导教师及作者简介 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
