单晶硅太阳能电池铝背场的特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·单晶硅太阳能电池结构的演变 | 第12-22页 |
| ·铝背场的研究进展 | 第22-24页 |
| ·单晶硅电池铝背场的制备及形成过程 | 第24-26页 |
| ·本论文的研究意义、方法及内容 | 第26-29页 |
| ·本论文的研究意义 | 第26页 |
| ·本论文的研究内容 | 第26-27页 |
| ·本论文的研究方法 | 第27-28页 |
| ·论文章节安排 | 第28-29页 |
| 第二章 单晶硅电池铝背场特性的实验研究 | 第29-42页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·测试原理与实验 | 第29-33页 |
| ·方块电阻测试原理 | 第29-31页 |
| ·铝背场欧姆接触测试原理 | 第31-32页 |
| ·欧姆接触伏安特性及其测试系统 | 第32-33页 |
| ·铝背场的制备及表征 | 第33页 |
| ·实验结果与分析 | 第33-40页 |
| ·铝背场方块电阻的热退火规律 | 第33-34页 |
| ·铝背场截面及表面形貌 | 第34-37页 |
| ·欧姆接触伏安特性的测试及比接触电阻的计算 | 第37-39页 |
| ·电池的伏安特性 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 太阳能电池仿真的理论基础及仿真软件 | 第42-52页 |
| ·太阳能电池物理基础 | 第42-44页 |
| ·泊松方程 | 第42页 |
| ·电流密度方程 | 第42-43页 |
| ·连续性方程 | 第43页 |
| ·太阳能电池的边界条件 | 第43-44页 |
| ·半导体的光吸收 | 第44-45页 |
| ·光学吸收系数 | 第44-45页 |
| ·自由载流子吸收系数 | 第45页 |
| ·载流子输运特性 | 第45-49页 |
| ·迁移率 | 第46-47页 |
| ·载流子的复合 | 第47-49页 |
| ·禁带变窄效应 | 第49-50页 |
| ·温度对禁带宽度的影响 | 第49页 |
| ·掺杂浓度对禁带宽度的影响 | 第49-50页 |
| ·仿真软件PC1D简介 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 单晶硅电池铝背场特性的仿真研究 | 第52-72页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·仿真方案 | 第53-55页 |
| ·硅衬底对单晶硅电池输出特性的影响 | 第55-63页 |
| ·衬底厚度 | 第55-58页 |
| ·衬底少子寿命 | 第58-61页 |
| ·衬底掺杂浓度 | 第61-63页 |
| ·铝背场掺杂浓度分布对单晶硅电池输出特性的影响 | 第63-70页 |
| ·铝背场掺杂浓度分布梯度 | 第63-66页 |
| ·铝背场厚度以及平均掺杂浓度 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 附录 A主要参数符号表 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第85页 |
