硅基三维结构电化学腐蚀技术及机理研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| ·体硅微机械加工简介 | 第12页 |
| ·体硅微机械主要加工技术 | 第12-22页 |
| ·干法加工技术 | 第12-15页 |
| ·各向同性湿法加工技术 | 第15-16页 |
| ·各向异性湿法加工技术 | 第16-17页 |
| ·多孔硅牺牲层技术 | 第17-19页 |
| ·光辅助电化学深腐蚀技术 | 第19-22页 |
| ·体硅加工技术目前存在的问题 | 第22页 |
| ·本论文研究的目的及开展的工作 | 第22-24页 |
| 第2章 实验方法与原材料 | 第24-34页 |
| ·实验装置及原材料 | 第24-26页 |
| ·实验装置及设备 | 第24-25页 |
| ·原材料及测试设备 | 第25-26页 |
| ·光刻工艺准备工作介绍 | 第26-32页 |
| ·掩模版设计和制作 | 第26-27页 |
| ·硅片清洗 | 第27-28页 |
| ·硅片热氧化 | 第28-30页 |
| ·光刻工艺 | 第30-32页 |
| ·电化学腐蚀 | 第32-33页 |
| ·磁场辅助电化学腐蚀 | 第33-34页 |
| 第3章 电化学腐蚀技术研究 | 第34-54页 |
| ·KOH腐蚀液电化学腐蚀技术 | 第34-43页 |
| ·KOH腐蚀液特性 | 第34-35页 |
| ·IPA对腐蚀形貌的影响 | 第35-38页 |
| ·电流对腐蚀形貌的影响 | 第38-42页 |
| ·电流对腐蚀速率的影响 | 第42-43页 |
| ·KOH腐蚀电化学模型 | 第43-44页 |
| ·凸角结构的设计及制作 | 第44-53页 |
| ·多孔硅性质 | 第44-45页 |
| ·多孔硅形成机制 | 第45-46页 |
| ·凸角结构制备方法 | 第46-49页 |
| ·腐蚀液的选取 | 第49-50页 |
| ·设计原则 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 磁场辅助电化学腐蚀技术研究 | 第54-77页 |
| ·磁场辅助技术 | 第54页 |
| ·大间距图形电化学制备技术 | 第54-55页 |
| ·基于霍尔效应的设计原理 | 第55-67页 |
| ·实验方法和装置 | 第56-58页 |
| ·磁场对N(100)基底形貌的影响 | 第58-63页 |
| ·磁场对P(100)基底形貌的影响 | 第63-66页 |
| ·基底掺杂类型对腐蚀速率的影响 | 第66-67页 |
| ·N型掩蔽层对形貌的影响 | 第67-75页 |
| ·设计原则及工艺流程 | 第67-70页 |
| ·电化学腐蚀形貌分析 | 第70-72页 |
| ·平行磁场对形貌的影响 | 第72-74页 |
| ·垂直磁场对形貌的影响 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第5章 电化学腐蚀大间距图形边缘效应研究 | 第77-85页 |
| ·实验方法 | 第77-78页 |
| ·边缘效应影响因素分析 | 第78-83页 |
| ·大间距图形的电化学腐蚀 | 第78-80页 |
| ·预腐蚀对边缘效应的影响 | 第80-82页 |
| ·背面掩模对边缘效应的影响 | 第82-83页 |
| ·通电窗口对腐蚀速率的影响 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第6章 电化学腐蚀大间距图形空穴偏转机制研究 | 第85-93页 |
| ·实验流程及设备 | 第85-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-92页 |
| ·电化学腐蚀形貌分析 | 第87-89页 |
| ·建立空穴球面能分布模型和空穴偏转路径 | 第89-90页 |
| ·磁场强度对腐蚀形貌的影响 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第7章 结论与创新点 | 第93-95页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| ·创新点 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第104页 |
