直拉式单晶硅生长炉的关键技术研究

致谢	第1-7页
摘要	第7-9页
Abstract	第9-20页
第1章 绪论	第20-41页
·课题背景	第20-26页
·信息产业背景	第20-21页
·光伏产业背景	第21-22页
·国内外单晶硅生长炉研究现状	第22-26页
·单晶硅生长炉组成及特点	第26-31页
·直拉法工艺	第26-27页
·单晶硅生长炉组成	第27-31页
·单晶硅生长理论介绍	第31-36页
·结晶驱动力	第31-32页
·晶体生长的热平衡	第32-33页
·晶体生长的固液界面热平衡	第33-34页
·晶体生长的固液界面形状	第34-35页
·晶体生长中熔体的流动状态	第35-36页
·课题来源与主要研究内容	第36-39页
·课题研究的目的和意义	第39页
·本章小结	第39-41页
第2章 直拉式单晶硅全自动控制系统技术研究	第41-65页
·集成电路级单晶硅的技术要求	第41-42页
·实现单晶硅全自动生长控制的必要性	第42-45页
·全自动生长工艺的研究	第45-54页
·晶体生长准备工艺研究	第45-47页
·熔态硅控制的工艺研究	第47-50页
·晶体生长的工艺研究	第50-54页
·全自动控制技术的研究	第54-61页
·单晶硅生长的自动控制环的设计	第55-58页
·控制环链接技术的研究	第58-61页
·液面位置控制研究	第61页
·控制系统的硬件实现	第61-64页
·本章小结	第64-65页
第3章 非完整图像识别的单晶直径测量技术研究	第65-76页
·单晶直径测量技术演变	第65-66页
·非完整图像测量技术研究	第66-72页
·数字图像处理技术	第67-68页
·直径软件算法研究	第68-72页
·硬件系统结构	第72-75页
·光学转换结构	第72-74页
·图像处理硬件系统	第74-75页
·本章小结	第75-76页
第4章 基于300MM单晶生长的控制系统技术研究	第76-106页
·集成电路发展史	第76页
·晶体缺陷及COP缺陷	第76-81页
·V.V.Voronkov的V/G理论	第81-83页
·基于COP缺陷控制的新型晶体直径控制方法的研究	第83-93页
·拉速控制直径方法的缺点	第83-84页
·新型功率控制直径的控制方法研究	第84-93页
·基于COP缺陷控制的新型液面位置控制方法的研究	第93-101页
·液面位置对直径300mm单晶硅固液界面形状影响	第93-95页
·传统的液面位置测量技术	第95-96页
·新型液面位置测量技术研究	第96-98页
·新型液面位置控制技术研究	第98-99页
·液面位置控制实验	第99-101页
·COP微缺陷控制实验研究	第101-104页
·实验工艺条件	第101页
·实验结果分析	第101-104页
·300mm新型控制系统其他技术研究	第104-105页
·本章小结	第105-106页
第5章 基于光伏产业的单晶硅生长炉高效热场研究	第106-128页
·研究新型热场的必要性	第106-108页
·热场技术的发展	第108-111页
·热场的描述	第108-109页
·热场的梯度	第109-110页
·热场中热传递的途径	第110-111页
·热场数值模拟技术研究现状	第111-113页
·亚双加热器技术的研究	第113-115页
·新型材料热屏技术的研究	第115-117页
·热场建模仿真的研究	第117-123页
·建模软件及基础	第117-120页
·亚双加热器的模拟仿真	第120-121页
·改变热屏材料的模拟仿真	第121-123页
·实验验证	第123-126页
·本章小结	第126-128页
第6章 总结与展望	第128-131页
·全文总结	第128-129页
·论文创新点	第129页
·展望	第129-131页
参考文献	第131-140页
作者简历及攻读博士学位期间的主要科研成果	第140-141页