| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-41页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 基本物理概念 | 第13-41页 |
| 1.2.1 超导电性研究 | 第13-17页 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体和拓扑半金属 | 第17-21页 |
| 1.2.3 Lifshitz相变 | 第21-26页 |
| 1.2.4 磁电阻 | 第26-31页 |
| 1.2.5 第Ⅱ类Weyl半金属T_d-WTe_2/MoTe_2研究进展 | 第31-37页 |
| 1.2.6 本课题的选题背景,选题意义,研究内容 | 第37-41页 |
| 第二章 实验方法 | 第41-47页 |
| 2.1 单晶生长方法 | 第41-43页 |
| 2.1.1 化学气相输运方法 | 第41-42页 |
| 2.1.2 助熔剂方法 | 第42-43页 |
| 2.2 单晶结构表征方法 | 第43页 |
| 2.3 单晶物性测量 | 第43页 |
| 2.4 双带模型拟合霍尔电导 | 第43-44页 |
| 2.5 强磁场下舒勃尼科夫-德哈斯振荡测量 | 第44-46页 |
| 2.6 活塞圆筒压力包 | 第46-47页 |
| 第三章 强磁场下拓扑材料T_d-MoTe_2的输运性质研究 | 第47-59页 |
| 3.1 本章引论 | 第47-48页 |
| 3.2 1T'-MoTe_2单晶样品制备 | 第48-49页 |
| 3.3 1T'-MoTe_2单晶样品物相分析 | 第49页 |
| 3.4 T_d-MoTe_2单晶量子振荡分析 | 第49-53页 |
| 3.5 T_d-MoTe_2单晶平面霍尔效应 | 第53-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-59页 |
| 第四章 拓扑材料T_d-MoTe_2极大磁电阻效应研究 | 第59-77页 |
| 4.1 本章引论 | 第59-60页 |
| 4.2 1T'-MoTe_2单晶样品制备和物相分析 | 第60页 |
| 4.3 T_d-MoTe_2单晶XMR起源研究 | 第60-66页 |
| 4.4 低维化调控MoTe_2结构相变 | 第66-71页 |
| 4.5 低维化调控T_d-MoTe_2中XMR | 第71-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 压力调控MoTe_2输运性质 | 第77-83页 |
| 5.1 本章引论 | 第77页 |
| 5.2 1T'-MoTe_2单晶样品制备和物相分析 | 第77-78页 |
| 5.3 压力调控MoTe_2XMR | 第78-79页 |
| 5.4 压力诱导MoTe_2费米面重构 | 第79-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 元素掺杂调控MoTe_2超导电性 | 第83-93页 |
| 6.1 本章引论 | 第83页 |
| 6.2 MoTe_(2-x)S_x系列单晶样品制备 | 第83-84页 |
| 6.3 MoTe_(1.8)S_(0.2)单晶样品物相分析 | 第84-87页 |
| 6.4 MoTe_(1.8)S_(0.2)单晶超导电性研究 | 第87-89页 |
| 6.5 MoTe_(2-x)S_x单晶电输运性质研究 | 第89-91页 |
| 6.6 第一性原理计算 | 第91-92页 |
| 6.7 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第93-97页 |
| 参考文献 | 第97-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 博士期间发表论文情况 | 第111-112页 |
