| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1.绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 MoS_2 材料的结构与特性 | 第12-15页 |
| 1.3 MoS_2 薄膜制备及掺杂的研究进展 | 第15-19页 |
| 1.3.1 MoS_2 薄膜制备技术 | 第15-17页 |
| 1.3.2 MoS_2 薄膜掺杂技术 | 第17-19页 |
| 1.3.3 MoS_2 薄膜制备、掺杂存在的问题 | 第19页 |
| 1.4 本文的研究工作及安排 | 第19-22页 |
| 2.MoS_2 薄膜的CVD法制备原理与表征技术 | 第22-32页 |
| 2.1 MoS_2 薄膜的CVD法制备原理 | 第22-27页 |
| 2.1.1 动力学过程分析 | 第22-24页 |
| 2.1.2 热力学过程分析 | 第24-27页 |
| 2.2 MoS_2 薄膜的形核与生长 | 第27-28页 |
| 2.3 MoS_2 薄膜的表征技术 | 第28-32页 |
| 3.单层MoS_2 薄膜的变温控源CVD法制备研究 | 第32-58页 |
| 3.1 变温控源法制备MoS_2 薄膜 | 第32-35页 |
| 3.1.1 CVD生长系统的搭建 | 第32-33页 |
| 3.1.2 变温控源法生长工艺 | 第33-34页 |
| 3.1.3 MoS_2 薄膜制备的物理过程分析 | 第34-35页 |
| 3.2 单层MoS_2 薄膜可控制备的影响因素研究 | 第35-56页 |
| 3.2.1 钼衬温度梯度 | 第35-41页 |
| 3.2.2 钼衬距离 | 第41-46页 |
| 3.2.3 衬底位置 | 第46-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 4.大面积单层MoS_2 薄膜的制备研究 | 第58-86页 |
| 4.1 限速CVD法及其限速模式 | 第58-59页 |
| 4.2 生长机理与工艺 | 第59-60页 |
| 4.2.1 生长的物理化学过程 | 第59页 |
| 4.2.2 生长工艺 | 第59-60页 |
| 4.3 大面积单层MoS_2 薄膜制备的影响因素研究 | 第60-84页 |
| 4.3.1 预蒸发温度 | 第60-63页 |
| 4.3.2 通硫时间 | 第63-67页 |
| 4.3.3 升温速率 | 第67-71页 |
| 4.3.4 钼衬距离 | 第71-74页 |
| 4.3.5 蒸发与生长温度 | 第74-81页 |
| 4.3.6 大面积单层MoS_2 薄膜制备 | 第81-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 5.单层MoS_2 薄膜的Er掺杂实验研究 | 第86-98页 |
| 5.1 单层MoS_2 薄膜的Er掺杂实验设计 | 第86-87页 |
| 5.2 Er掺杂对单层MoS_2 薄膜形貌、品质及组份的影响 | 第87-92页 |
| 5.2.1 Er掺杂对单层MoS_2 形貌的影响 | 第87-88页 |
| 5.2.2 Er掺杂对单层MoS_2 品质的影响 | 第88-90页 |
| 5.2.3 Er掺杂单层MoS_2 薄膜的组份分析 | 第90-92页 |
| 5.3 Er掺杂对单层MoS_2 薄膜光学特性的影响 | 第92-96页 |
| 5.3.1 Er掺杂对单层MoS_2 薄膜光吸收特性的影响 | 第92-93页 |
| 5.3.2 Er掺杂对单层MoS_2 薄膜发光特性的影响 | 第93-94页 |
| 5.3.3 Er掺杂对单层MoS_2 薄膜光转换特性的影响 | 第94-96页 |
| 5.4 Er掺杂对单层MoS_2 薄膜室温磁性的影响 | 第96-97页 |
| 5.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 6.单层MoS_2的Er掺杂理论研究 | 第98-130页 |
| 6.1 密度泛函理论 | 第98-101页 |
| 6.2 掺杂模型与计算方法 | 第101-103页 |
| 6.3 本征单层MoS_2 的计算结果分析 | 第103-109页 |
| 6.4 Er掺杂单层MoS_2 的特性研究 | 第109-128页 |
| 6.4.1 Er掺杂单层MoS_2 的能带结构与态密度分析 | 第109-117页 |
| 6.4.2 Er掺杂单层MoS_2 的磁性分析 | 第117-122页 |
| 6.4.3 Er掺杂单层MoS_2 的光学性质分析 | 第122-128页 |
| 6.5 本章小结 | 第128-130页 |
| 7.结束语 | 第130-134页 |
| 7.1 主要结论 | 第130-131页 |
| 7.2 创新点 | 第131-132页 |
| 7.3 展望 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-148页 |
| 攻读学位期间主要研究成果 | 第148-149页 |
| 1.与学位论文相关的论文 | 第148页 |
| 2.其他研究论文 | 第148-149页 |
| 3.申请发明专利 | 第149页 |
| 4.获奖情况 | 第149页 |
| 5.参加的科研项目 | 第149页 |
