| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 材料中氚测量技术研究进展 | 第9-26页 |
| 1.1 直接测量技术 | 第10-14页 |
| 1.1.1 电离室 | 第10-11页 |
| 1.1.2 流气式正比计数器 | 第11-12页 |
| 1.1.3 半导体探测器 | 第12-13页 |
| 1.1.4 固体闪烁体探测器 | 第13-14页 |
| 1.2 间接测量技术 | 第14-20页 |
| 1.2.1 β射线诱发的X射线能谱分析(BIXS) | 第14-18页 |
| 1.2.2 氚成像板技术 | 第18-19页 |
| 1.2.3 擦拭法 | 第19页 |
| 1.2.4 离子束分析方法 | 第19-20页 |
| 1.3 测氚电离室输出信号的影响因素 | 第20-22页 |
| 1.3.1 离子复合效应 | 第20-21页 |
| 1.3.2 电离室壁效应 | 第21页 |
| 1.3.3 记忆效应 | 第21-22页 |
| 1.3.4 γ射线的影响 | 第22页 |
| 1.4 小结 | 第22-24页 |
| 1.5 论文选题思路 | 第24-26页 |
| 第二章 多丝电离室电场构型的理论研究 | 第26-43页 |
| 2.1 测氚电离室输出信号的理论分析 | 第26-27页 |
| 2.2 有限元和ANSYS软件 | 第27-28页 |
| 2.3 电离室电场计算模型 | 第28-30页 |
| 2.4 模拟结果与讨论 | 第30-41页 |
| 2.4.1 丝间距对场强分布的影响 | 第30-34页 |
| 2.4.2 丝半径对场强分布的影响 | 第34-38页 |
| 2.4.3 极间距离对场强分布的影响 | 第38-39页 |
| 2.4.4 极间偏压对场强分布的影响 | 第39-41页 |
| 2.5 小结 | 第41-43页 |
| 第三章 多丝电离室中β/γ射线能量沉积的理论研究 | 第43-56页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法和MCNP程序 | 第43-44页 |
| 3.2 电离室能量沉积计算模型 | 第44-45页 |
| 3.3 模拟结果与讨论 | 第45-52页 |
| 3.3.1 β/γ射线在电离室中的能量沉积 | 第45-46页 |
| 3.3.2 电离室壁材料对β/γ射线能量沉积的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 电离室灵敏区高度对β/γ射线能量沉积的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.4 空气湿度对β/γ射线能量沉积的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.5 空气压强对β/γ射线能量沉积的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 γ射线对氚输出电流的影响评估 | 第52-53页 |
| 3.5 多丝电离室结构设计 | 第53-54页 |
| 3.6 小结 | 第54-56页 |
| 第四章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录 | 第64页 |
