| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 AlGaInP基LED发展历程 | 第8-14页 |
| 1.2.1 LED原理 | 第8-9页 |
| 1.2.2 AlGaInP基LED发展历程 | 第9-10页 |
| 1.2.3 AlGaInP基LED在小间距显示屏应用及市场 | 第10-11页 |
| 1.2.4 AlGaInP基LED技术现状 | 第11-14页 |
| 1.3 本论文研究的内容及意义 | 第14-16页 |
| 第二章 金属有机化学气相沉积外延生长 | 第16-27页 |
| 2.1 MOCVD设备简介 | 第16-17页 |
| 2.2 MOCVD生长系统 | 第17-21页 |
| 2.2.1 反应原理介绍 | 第17-18页 |
| 2.2.2 设备结构介绍 | 第18-19页 |
| 2.2.3 Veeco K475i设备简介 | 第19-21页 |
| 2.3 MOCVD外延生长 | 第21-26页 |
| 2.3.1 AlGaInP LED外延结构 | 第21-23页 |
| 2.3.2 GaP外延层研究 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 高效率AlGaInP基LED电流阻挡层结构研究 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验过程 | 第27-30页 |
| 3.2.1 CB结构外延实验设计 | 第27-29页 |
| 3.2.2 CB结构器件制作 | 第29-30页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第30-38页 |
| 3.3.1 外延片波长及材料质量表征 | 第30-31页 |
| 3.3.2 GaP表层欧姆接触层掺杂浓度分析 | 第31-33页 |
| 3.3.3 CB开孔深度研究 | 第33-35页 |
| 3.3.4 ITO厚度及透过率研究 | 第35-37页 |
| 3.3.5 CB最佳工艺器件性能验证 | 第37-38页 |
| 3.4 本章总结 | 第38-39页 |
| 第四章 高效率AlGaInP基LED粗化工艺研究 | 第39-53页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.1.1 粗化工艺的作用 | 第39-40页 |
| 4.2 实验过程 | 第40-42页 |
| 4.2.1 外延片生长 | 第40-41页 |
| 4.2.2 粗化工艺器件制作 | 第41-42页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第42-51页 |
| 4.3.1 欧姆接触设计 | 第42-45页 |
| 4.3.2 湿法溶液对比 | 第45-49页 |
| 4.3.3 粗化深度确定 | 第49-51页 |
| 4.3.4 粗化最佳工艺器件性能验证 | 第51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 硕士期间发表的专利及文章 | 第61-62页 |