摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-19页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 二维层状材料概述 | 第12-15页 |
1.2.1 石墨烯 | 第12-13页 |
1.2.2 过渡金属二硫化物 | 第13-14页 |
1.2.3 黑磷 | 第14-15页 |
1.3 二维范德华异质结概述 | 第15-16页 |
1.4 第五主族三碘化物概述 | 第16-18页 |
1.5 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第18-19页 |
1.5.1 本论文选题依据 | 第18页 |
1.5.2 本论文的研究内容 | 第18-19页 |
第二章 第一性原理方法简介 | 第19-25页 |
2.1 玻恩-奥本海默近似 | 第19-20页 |
2.2 Hartree-Fock近似 | 第20-21页 |
2.3 密度泛函理论 | 第21-24页 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
2.3.3 交换关联泛函 | 第23-24页 |
2.4 计算软件包 | 第24-25页 |
第三章 单层AI_3(A=As,Sb)电子结构及光学性质的第一性原理研究 | 第25-34页 |
3.1 引言 | 第25-26页 |
3.2 计算方法 | 第26页 |
3.3 结果与讨论 | 第26-33页 |
3.3.1 结构、剥离能与稳定性 | 第26-29页 |
3.3.2 电子结构与光学性质 | 第29-32页 |
3.3.3 带边与光催化性质 | 第32-33页 |
3.4 结论 | 第33-34页 |
第四章 第五主族碘化物范德华异质结光电性质的第一性原理研究 | 第34-52页 |
4.1 引言 | 第34-35页 |
4.2 计算方法 | 第35页 |
4.3 结果与讨论 | 第35-51页 |
4.3.1 SbI_3/BiI_3 vdW异质结的几何结构与稳定性 | 第35-39页 |
4.3.2 SbI_3/BiI_3 vdW异质结的电子结构 | 第39-45页 |
4.3.3 SbI_3/BiI_3 vdW异质结的能量转换效率计算与调控 | 第45-47页 |
4.3.4 AsI_3/SbI_3 vdW异质结的几何结构与稳定性 | 第47-49页 |
4.3.5 AsI_3/SbI_3 vdW异质结的电子结构与能量转换效率 | 第49-51页 |
4.4 总结 | 第51-52页 |
第五章 过渡金属二硫化物单层弯曲模量的第一性原理研究 | 第52-59页 |
5.1 引言 | 第52-53页 |
5.2 计算细节 | 第53-54页 |
5.3 结果与讨论 | 第54-58页 |
5.4 结论 | 第58-59页 |
总结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第75页 |
附录B (攻读学位期间参与的科研项目及获得的荣誉) | 第75页 |