| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 CMOS图像传感器简介 | 第8-10页 |
| 1.2 微弱光CMOS图像传感器的研究意义 | 第10页 |
| 1.3 微弱光CMOS图像传感器的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.4 论文主要工作 | 第12-13页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第13-14页 |
| 第2章 CMOS图像传感器相关基础理论 | 第14-26页 |
| 2.1 CMOS图像传感器相关参数 | 第14-16页 |
| 2.1.1 像素尺寸 | 第14页 |
| 2.1.2 填充因子 | 第14页 |
| 2.1.3 动态范围 | 第14-15页 |
| 2.1.4 信噪比 | 第15页 |
| 2.1.5 分辨率 | 第15-16页 |
| 2.2 像素单元电路基础理论 | 第16-18页 |
| 2.2.1 无源像素单元电路 | 第16页 |
| 2.2.2 3 管有源像素单元电路 | 第16-17页 |
| 2.2.3 4 管有源像素单元电路 | 第17-18页 |
| 2.3 传统光电探测器基础理论 | 第18-21页 |
| 2.3.1 光电荷的产生机理 | 第18-19页 |
| 2.3.2 光电探测器及工作原理 | 第19-21页 |
| 2.4 复合型光电探测器基础理论 | 第21-23页 |
| 2.4.1 PN结 | 第21-22页 |
| 2.4.2 MOS场效应晶体管 | 第22-23页 |
| 2.5 小结 | 第23-26页 |
| 第3章 基于标准CMOS工艺的复合型光电探测器设计 | 第26-48页 |
| 3.1 标准UMC0.18μmCMOS工艺简介 | 第26-27页 |
| 3.2 复合型光电探测器结构模型 | 第27页 |
| 3.3 复合型光电探测器工作原理 | 第27-29页 |
| 3.4 复合型光电探测器设计实例 | 第29-46页 |
| 3.4.1 栅体互联PMOS型光电探测器 | 第29-35页 |
| 3.4.2 栅体互联NMOS型光电探测器 | 第35-41页 |
| 3.4.3 适用于紫外光探测的光电探测器 | 第41-46页 |
| 3.5 小结 | 第46-48页 |
| 第4章 版图设计与测试分析 | 第48-64页 |
| 4.1 版图设计要点 | 第48-50页 |
| 4.1.1 天线效应 | 第49页 |
| 4.1.2 闩锁效应 | 第49页 |
| 4.1.3 金属走线的电流承载能力 | 第49页 |
| 4.1.4 光电探测器芯片版图的特殊处理 | 第49-50页 |
| 4.1.5 版图设计的其他注意事项 | 第50页 |
| 4.2 复合型光电探测器版图的设计 | 第50-53页 |
| 4.2.1 栅体互联PMOS型光电探测器版图设计 | 第50-52页 |
| 4.2.2 栅体互联NMOS型光电探测器版图设计 | 第52页 |
| 4.2.3 栅控PMOS型光电探测器版图设计 | 第52-53页 |
| 4.2.4 整体版图设计 | 第53页 |
| 4.3 测试PCB板的设计 | 第53-55页 |
| 4.4 探测器芯片测试与分析 | 第55-63页 |
| 4.4.1 探测器I-V特性测试 | 第56-58页 |
| 4.4.2 探测器瞬态特性测试 | 第58-61页 |
| 4.4.3 探测器光谱特性测试 | 第61-63页 |
| 4.5 小结 | 第63-64页 |
| 第5章 像素单元电路的设计与仿真 | 第64-74页 |
| 5.1 电压型有源像素单元电路的设计 | 第64-69页 |
| 5.1.1 电路结构和原理 | 第64-66页 |
| 5.1.2 仿真分析 | 第66-69页 |
| 5.2 电流型像素单元电路设计 | 第69-73页 |
| 5.3 小结 | 第73-74页 |
| 第6章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 工作总结 | 第74页 |
| 6.2 不足与展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 发表论文和参与科研情况说明 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |