摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 碲锌镉晶体简介 | 第10-11页 |
1.1.1 碲锌镉晶体结构 | 第10-11页 |
1.1.2 碲锌镉晶体的特性 | 第11页 |
1.2 碲锌镉晶体生长的研究 | 第11-22页 |
1.2.1 晶体生长简介 | 第11-12页 |
1.2.2 碲锌镉晶体相图 | 第12页 |
1.2.3 碲锌镉晶体生长的主要困难 | 第12-13页 |
1.2.4 碲锌镉晶体常用生长方法及其优缺点 | 第13-22页 |
1.3 碲锌镉晶体的应用研究 | 第22-23页 |
1.3.1 碲锌镉晶体在核辐射探测器上的应用 | 第22-23页 |
1.3.2 碲锌镉晶体在高性能碲镉汞红外探测器上的应用 | 第23页 |
1.3.3 碲锌镉晶体在太阳能电池上的应用 | 第23页 |
1.4 本课题研究内容及意义 | 第23-25页 |
1.4.1 本课题研究意义 | 第23页 |
1.4.2 本课题研究内容 | 第23-25页 |
第二章 石英坩埚内壁镀膜工艺的优化 | 第25-36页 |
2.1 晶体生长用坩埚的选材 | 第25页 |
2.2 坩埚内壁镀膜的意义 | 第25页 |
2.3 镀膜工艺的研究现状 | 第25-26页 |
2.4 选择镀膜方法 | 第26-27页 |
2.5 镀膜工艺流程 | 第27-29页 |
2.6 镀膜工艺参数对镀膜质量的影响 | 第29-35页 |
2.6.1 腐蚀剂浓度对镀膜质量的影响 | 第29-31页 |
2.6.2 给予升温退火对碳膜质量的影响 | 第31-33页 |
2.6.3 抽动导气管对碳膜质量的影响 | 第33-35页 |
2.7 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 不同因素对碲锌镉晶体生长的数值模拟 | 第36-58页 |
3.1 坩埚材质的优化选择 | 第36-39页 |
3.1.1 坩埚材料优选的解决方案 | 第36页 |
3.1.2 坩埚材质对碲溶剂区最高温度的影响 | 第36-37页 |
3.1.3 坩埚材质对温度梯度的影响 | 第37页 |
3.1.4 坩埚材质对生长界面形状的影响 | 第37-39页 |
3.2 晶体最大生长半径与所需炉膛温度边界的关系的研究 | 第39-41页 |
3.2.1 探索炉膛温度边界与晶体半径间关系的解决方案 | 第39-40页 |
3.2.2 炉膛温度边界与晶体半径间的关系 | 第40-41页 |
3.3 不同炉膛温度边界条件的影响的研究 | 第41-45页 |
3.3.1 研究不同炉膛温度边界条件的影响的解决方案 | 第42页 |
3.3.2 不同炉膛温度边界条件的影响的分析 | 第42-45页 |
3.4 生长速度的影响的研究 | 第45-56页 |
3.4.1 研究生长速度的影响的解决方案 | 第46页 |
3.4.2 相同半径不同生长速度的研究 | 第46-52页 |
3.4.3 不同半径相同生长速度的研究 | 第52-56页 |
3.5 本章小结 | 第56-58页 |
第四章 碲锌镉晶体的生长及Cd_(1-x)Zn_xTe晶片的制备 | 第58-66页 |
4.1 RMF晶体生长炉 | 第58-59页 |
4.2 THM法生长CZT晶体原理 | 第59-60页 |
4.3 晶体制备工艺 | 第60-63页 |
4.3.1 晶体生长用坩埚选择 | 第60-61页 |
4.3.2 原料合成工艺简述 | 第61页 |
4.3.3 温度场的选择 | 第61-62页 |
4.3.4 晶体生长速率 | 第62-63页 |
4.3.5 坩埚旋转参数的选择 | 第63页 |
4.4 Cd_(1-x)Zn_xTe晶片的加工工艺 | 第63-66页 |
4.4.1 晶锭的切割与编号 | 第63-64页 |
4.4.2 晶片的研磨与抛光 | 第64-66页 |
第五章 位错的成因及检测 | 第66-73页 |
5.1 晶体生长中位错的产生 | 第66页 |
5.2 位错的显示研究 | 第66-72页 |
5.2.1 位错线的性质及腐蚀坑的形成 | 第67-68页 |
5.2.2 腐蚀实验 | 第68页 |
5.2.3 CdZnTe晶片的蚀坑分布及形貌特征 | 第68-70页 |
5.2.4 位错密度分布的统计分析 | 第70-72页 |
5.3 本章小结 | 第72-73页 |
第六章 结论 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-81页 |
攻读硕士期间的科研成果 | 第81-82页 |
致谢 | 第82页 |