首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--激光技术、微波激射技术论文--激光器论文

基于碳化硅MOSFET的2MHz射频电源的仿真和设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-14页
    1.1 课题背景第8-9页
    1.2 高功率轴快流CO_2激光器的发展和现状第9-10页
    1.3 轴快流CO_2激光器的系统构成及其激励技术的发展第10-12页
    1.4 本文的主要工作第12-14页
2 气体放电特性及射频电源的设计第14-26页
    2.1 轴快流CO_2激光器气体放电特性第14-19页
    2.2 射频放电管频率参数的选择第19-20页
    2.3 射频电源的结构第20-22页
    2.4 射频功率放大器的拓扑结构选择第22-24页
    2.5 本章小结第24-26页
3 射频电源的放大级设计和仿真分析第26-44页
    3.1 碳化硅(SiC)晶体管器件第26-29页
    3.2 晶体管驱动芯片的选取第29-31页
    3.3 E类射频功率放大器的分析第31-34页
    3.4 射频放大级的各元器件参数的计算第34-35页
    3.5 负载阻抗变换技术第35-38页
    3.6 基于SiC MOSFET的放大器仿真分析第38-43页
    3.7 本章小结第43-44页
4 射频电源的硬件设计与实验结果第44-53页
    4.1 射频元器件的选择和实际测试第44-49页
    4.2 射频电源电路板设计要点第49页
    4.3 放大级模块的原理图及PCB设计第49-51页
    4.4 调试及测试结果分析第51-52页
    4.5 本章小结第52-53页
5 总结和展望第53-54页
参考文献第54-57页
附录 硕士期间申请的软件著作权第57页

论文共57页,点击 下载论文
上一篇:研究生思想政治教育实施方法研究
下一篇:师范生的教师教育课程认同、学习投入度及学业成就的关系研究