图形化铌酸锂薄膜的制备及研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 铁电材料的概况 | 第10-11页 |
| 1.2 铁电材料—铌酸锂 | 第11-12页 |
| 1.3 薄膜的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.3.1 脉冲激光沉积 | 第12页 |
| 1.3.2 溅射法 | 第12-13页 |
| 1.3.3 分子束外延 | 第13页 |
| 1.3.4 化学气相淀积 | 第13页 |
| 1.3.5 液相外延 | 第13页 |
| 1.3.6 溶胶-凝胶法 | 第13-14页 |
| 1.4 图形化薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.4.1 光刻法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 直接感光法 | 第15页 |
| 1.4.3 纳米压印 | 第15页 |
| 1.4.4 自组装法 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容与意义 | 第16-18页 |
| 第二章 实验装置和测试仪器及表征方法 | 第18-24页 |
| 2.1 实验装置 | 第18-20页 |
| 2.2 测试仪器 | 第20-24页 |
| 2.2.1 多晶衍射仪 | 第20-21页 |
| 2.2.2 差热分析 | 第21页 |
| 2.2.3 显微镜测试分析 | 第21页 |
| 2.2.4 场发射扫描电子显微镜 | 第21-22页 |
| 2.2.5 显微共焦拉曼光谱仪 | 第22-24页 |
| 第三章 铌酸锂薄膜的制备及研究 | 第24-34页 |
| 3.1 溶胶凝胶法 | 第24-25页 |
| 3.2 实验方案 | 第25-27页 |
| 3.3 实验步骤 | 第27-28页 |
| 3.3.1 前驱体的制备 | 第27页 |
| 3.3.2 涂膜过程 | 第27-28页 |
| 3.4 薄膜质量的影响因素 | 第28-30页 |
| 3.4.1 前驱体浓度 | 第28-29页 |
| 3.4.2 衬底 | 第29页 |
| 3.4.3 热处理过程 | 第29-30页 |
| 3.5 实验结果与分析 | 第30-32页 |
| 3.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 图形化铌酸锂薄膜的制备及研究 | 第34-56页 |
| 4.1 激光直写法 | 第34-41页 |
| 4.1.1 光刻过程 | 第35-37页 |
| 4.1.2 凝胶溶解度对图形质量的影响 | 第37-41页 |
| 4.2 激光晶化法 | 第41-53页 |
| 4.2.1 实验步骤 | 第42-43页 |
| 4.2.2 影响图形化薄膜质量的因素 | 第43-47页 |
| 4.2.3 实验结果与分析 | 第47-51页 |
| 4.2.4 激光晶化打点实验 | 第51-53页 |
| 4.3 本章总结 | 第53-56页 |
| 第五章 电场诱导取向薄膜生长 | 第56-62页 |
| 5.1 实验装置 | 第56-58页 |
| 5.2 实验样品和条件 | 第58页 |
| 5.3 实验结果 | 第58-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 研究生期间所取得的相关科研成果 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
