| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 半导体存储器概述 | 第10-15页 |
| 1.2 忆阻器的研究现状 | 第15-26页 |
| 1.3 TiO_2纳米线的研究现状 | 第26-29页 |
| 1.4 TiO_2纳米线忆阻器的研究现状 | 第29-32页 |
| 1.5 选题意义与主要研究内容 | 第32-35页 |
| 2 金红石TiO_2纳米线的制备及其光学性质 | 第35-61页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 金红石TiO_2纳米线的制备 | 第36-37页 |
| 2.3 金红石TiO_2纳米线的结构表征 | 第37-43页 |
| 2.4 金红石TiO_2纳米线的生长机制 | 第43页 |
| 2.5 工艺参数对材料结构和光学性质的影响 | 第43-60页 |
| 2.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 3 金红石TiO_2纳米线忆阻器的制备和阻变开关特性 | 第61-91页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 金红石TiO_2纳米线忆阻器的设计 | 第62-64页 |
| 3.3 不同生长取向金红石TiO_2纳米线的结构特性 | 第64-70页 |
| 3.4 Au/TiO_2 (101) NWAs/FTO忆阻器的开关特性和开关机制 | 第70-81页 |
| 3.5 Au/TiO_2 (002) NWAs/FTO忆阻器的开关特性和开关机制 | 第81-90页 |
| 3.6 本章小结 | 第90-91页 |
| 4 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的制备和阻变开关特性 | 第91-110页 |
| 4.1 引言 | 第91-92页 |
| 4.2 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的制备过程 | 第92-94页 |
| 4.3 锐钛矿TiO_2纳米线的结构分析 | 第94-102页 |
| 4.4 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的电学特性 | 第102-107页 |
| 4.5 锐钛矿TiO_2纳米线忆阻器的阻变开关机制 | 第107-108页 |
| 4.6 本章小结 | 第108-110页 |
| 5 锐钛矿/金红石异质结TiO_2忆阻器的制备和阻变开关特性 | 第110-130页 |
| 5.1 引言 | 第110-111页 |
| 5.2 锐钛矿/金红石异质结TiO_2忆阻器的制备工艺 | 第111-114页 |
| 5.3 锐钛矿/金红石异质结TiO_2的结构表征 | 第114-120页 |
| 5.4 Au/Anatase/Rutile TiO_2/FTO忆阻器的阻变开关特性 | 第120-127页 |
| 5.5 Au/Anatase/Rutile TiO_2/FTO忆阻器的阻变开关机制 | 第127-128页 |
| 5.6 本章小结 | 第128-130页 |
| 6 总结与展望 | 第130-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-146页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第146页 |
