| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 Ⅳ-Ⅵ族二维材料的晶体结构和性质 | 第13-22页 |
| 1.2.1 SnS的晶体结构和能带 | 第13-14页 |
| 1.2.2 SnS的各向异性电学性质 | 第14-16页 |
| 1.2.3 SnS的各向异性Raman性质 | 第16-18页 |
| 1.2.4 SnS的能谷效应 | 第18-19页 |
| 1.2.5 SnS层数依赖的能带结构和能带劈裂 | 第19页 |
| 1.2.6 SnS_2的晶体结构和性质 | 第19-22页 |
| 1.3 Ⅳ-Ⅵ族二维材料的制备方法 | 第22-29页 |
| 1.3.1 机械剥离 | 第22页 |
| 1.3.2 液相剥离 | 第22-23页 |
| 1.3.3 磁控溅射 | 第23-24页 |
| 1.3.4 气相沉积 | 第24-29页 |
| 1.4 Ⅳ-Ⅵ族二维材料的应用 | 第29-32页 |
| 1.4.1 光电探测器 | 第29-31页 |
| 1.4.2 传感器 | 第31-32页 |
| 1.5 本论文的研究工作 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 厚度依赖的硫化锡各向异性拉曼性质研究 | 第40-58页 |
| 2.1 研究背景 | 第40-42页 |
| 2.2 样品的制备及分析方法 | 第42-43页 |
| 2.2.1 样品的生长 | 第42页 |
| 2.2.2 样品转移 | 第42-43页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜的表征 | 第43页 |
| 2.2.4 Raman表征 | 第43页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第43-53页 |
| 2.3.1 SnS薄片的生长和结果分析 | 第43-46页 |
| 2.3.2 Raman光谱表征 | 第46-47页 |
| 2.3.3 各向异性Raman光谱表征 | 第47-50页 |
| 2.3.4 厚度依赖的各向异性Raman研究 | 第50-53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 SnS_2/SnS纵向异质结的制备及其光电性质 | 第58-80页 |
| 3.1 研究背景 | 第58-61页 |
| 3.2 样品的制备及分析方法 | 第61-63页 |
| 3.2.1 SnS_2/SnS异质结的CVD生长 | 第61-62页 |
| 3.2.2 SnS_2/SnS异质结的表征 | 第62页 |
| 3.2.3 SnS_2/SnS异质结器件的制备和表征 | 第62-63页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第63-76页 |
| 3.3.1 SnS_2/SnS异质结的成分和形貌表征 | 第63-65页 |
| 3.3.2 塔状SnS_2薄片的成分、形貌和晶体结构表征 | 第65-66页 |
| 3.3.3 SnS_2/SnS异质结的晶体结构表征 | 第66-68页 |
| 3.3.4 生长机理的讨论分析 | 第68-70页 |
| 3.3.5 SnS_2/SnS异质结器件的制备 | 第70-73页 |
| 3.3.6 SnS_2/SnS异质结光电性质的研究 | 第73-75页 |
| 3.3.7 一步CVD生长方法的延伸拓展 | 第75-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第四章 生长条件对硫锡化合物形貌和性质的影响 | 第80-102页 |
| 4.1 研究背景 | 第80-86页 |
| 4.1.1 Sn_2S_3和SnS_2的研究背景 | 第80-83页 |
| 4.1.1.1 Sn_2S_3的研究背景 | 第80-81页 |
| 4.1.1.2 SnS_2的研究背景 | 第81-83页 |
| 4.1.2 硫锡化合物之间的生长转换 | 第83-85页 |
| 4.1.2.1 电子束作用诱导SnS_2转变为SnS | 第83-84页 |
| 4.1.2.2 衬底温度对生长结果的影响 | 第84-85页 |
| 4.1.3 硫锡化合物生长方案的设计 | 第85-86页 |
| 4.1.3.1 大尺寸SnS_2薄片的生长 | 第85页 |
| 4.1.3.2 从SnS_2到Sn_2S_3的生长切换 | 第85页 |
| 4.1.3.3 SnS中S空位调控 | 第85-86页 |
| 4.2 样品的生长制备和分析方法 | 第86-89页 |
| 4.2.1 SnS_2的生长制备 | 第86-87页 |
| 4.2.2 Sn_2S_3纳米线的生长制备 | 第87-88页 |
| 4.2.3 SnS薄片的生长制备 | 第88-89页 |
| 4.2.4 在SiO_2表面制备周期性金电极方块 | 第89页 |
| 4.2.5 测试方法与仪器介绍 | 第89页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第89-98页 |
| 4.3.1 大尺寸SnS_2薄片的生长及表征 | 第89-93页 |
| 4.3.2 Sn_2S_3纳米线的生长和表征 | 第93-95页 |
| 4.3.3 不同生长条件对SnS形貌和光学性质的影响 | 第95-98页 |
| 4.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第五章 展望 | 第102-108页 |
| 5.1 提高SnS的迁移率 | 第102-103页 |
| 5.2 单层SnS的制备 | 第103-104页 |
| 5.3 生长级联异质结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-112页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第112-113页 |
