第一性原理对Bi系材料结构特性及应用的模拟研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 变量注释表 | 第16-17页 |
| 1 绪论 | 第17-26页 |
| 1.1 半导体材料概述 | 第17-19页 |
| 1.2 化合物半导体模拟研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3 Bi系材料研究进展 | 第20-24页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第24-26页 |
| 2 第一性原理理论基础 | 第26-35页 |
| 2.1 半导体中电子状态 | 第26-31页 |
| 2.2 第一性原理计算理论 | 第31-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 Bi_2Se_3电子结构第一性原理研究 | 第35-50页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 Bi_2Se_3块体电子结构 | 第36-37页 |
| 3.3 Bi_2Se_3薄膜电子结构 | 第37-38页 |
| 3.4 Bi_2Se_3薄膜掺杂电子结构 | 第38-44页 |
| 3.5 平面应变下Bi_2Se_3薄膜电子结构 | 第44-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 4 Bi_2Te_3电子结构第一性原理研究 | 第50-60页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 Bi_2Te_3块体电子结构 | 第51-55页 |
| 4.3 单QL-Bi_2Te_3薄膜电子结构 | 第55-58页 |
| 4.4 双QL-Bi_2Te_3薄膜电子结构 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 Bi_2S_3电子结构第一性原理研究 | 第60-69页 |
| 5.1 引言 | 第60-61页 |
| 5.2 Bi_2S_3块体电子结构 | 第61-62页 |
| 5.3 Bi_2S_3块体掺杂电子结构 | 第62-65页 |
| 5.4 Bi_2S_3 (R-3m结构)电子结构 | 第65-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 6 总结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 作者简历 | 第76-78页 |
| 学位论文数据集 | 第78页 |
