500V P沟VDMOS的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 VDMOS的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.3 VDMOS国内外现状与发展趋势 | 第12-14页 |
| 1.4 本文的研究意义与主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 VDMOS器件的理论分析 | 第15-28页 |
| 2.1 VDMOS的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 VDMOS的电学特性 | 第16-27页 |
| 2.2.1 VDMOS的静态参数 | 第16-25页 |
| 2.2.3 VDMOS的动态特性 | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 500V P沟VDMOS的设计 | 第28-52页 |
| 3.1 结构与参数指标 | 第28-29页 |
| 3.2 工艺流程 | 第29-30页 |
| 3.3 VDMOS的结构设计 | 第30-48页 |
| 3.3.1 元胞结构的设计 | 第30-45页 |
| 3.3.2 终端结构的设计 | 第45-48页 |
| 3.4 版图设计和绘制 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 500V P沟道VDMOS的测试与分析 | 第52-60页 |
| 4.1 晶圆片测试 | 第52-56页 |
| 4.2 封装后测试 | 第56-59页 |
| 4.2.1 静态参数测试 | 第56-57页 |
| 4.2.2 动态参数测试 | 第57-59页 |
| 4.3 测试结果分析 | 第59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
