| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 纳米材料理论简述 | 第11-12页 |
| 1.2 本文研究材料简介 | 第12-14页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 理论背景和计算方法 | 第15-25页 |
| 2.1 密度泛函理论简述(DFT) | 第15-21页 |
| 2.1.1 薛定谔方程和绝热近似与单电子近似 | 第15-17页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.1.4 交换相关能量泛函局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第19-20页 |
| 2.1.5 结构优化及超原胞模型 | 第20-21页 |
| 2.2 布洛赫定理和平面波基矢 | 第21-22页 |
| 2.2.1 布洛赫定理 | 第21页 |
| 2.2.2 平面波基矢 | 第21-22页 |
| 2.3 缀加平面波函数(PAW) | 第22页 |
| 2.4 VASP程序包简介 | 第22-25页 |
| 第三章 二维锡烯纳米材料的气敏性质研究 | 第25-39页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第26-27页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第27-38页 |
| 3.3.1 锡烯纳米单层材料的电子结构 | 第27-28页 |
| 3.3.2 气体分子吸附二维Stanene单层的电子结构 | 第28-33页 |
| 3.3.3 双轴应变对吸附体系气敏性质的调节 | 第33-35页 |
| 3.3.4 外加电场对吸附体系气敏性质的调节 | 第35-38页 |
| 3.4 结论 | 第38-39页 |
| 第四章 硫空穴SnS_2纳米材料气敏性质研究 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第40-41页 |
| 4.3 计算结果和讨论 | 第41-50页 |
| 4.3.1 硫空穴SnS_2单层的电子结构 | 第41-43页 |
| 4.3.2 小气体分子在S空位SnS_2单层上吸附的电子性质 | 第43-49页 |
| 4.3.3 双轴应变对吸附体系气敏性质的调节 | 第49-50页 |
| 4.4 结论 | 第50-51页 |
| 第五章 NO_2分子吸附单层和双层二硫化锡气敏特性研究 | 第51-63页 |
| 5.1 引言 | 第51-52页 |
| 5.2 计算方法和模型 | 第52页 |
| 5.3 计算结果和讨论 | 第52-62页 |
| 5.3.1 单层和双层SnS_2纳米片的电子结构及稳定性 | 第52-54页 |
| 5.3.2 NO_2吸附单层和双层SnS_2纳米材料电子结构的影响 | 第54-59页 |
| 5.3.3 双轴应变对二氧化氮吸附SnS_2纳米体系性质的调节 | 第59-61页 |
| 5.3.4 外加电场对二氧化氮吸附SnS_2纳米体系性质的调节 | 第61-62页 |
| 5.4 结论 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 论文总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第79-80页 |
