CdSe单晶物理气相法自由生长及形貌研究
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 前言 | 第9-13页 |
1.1 研究意义 | 第9-10页 |
1.2 硒化镉晶体的研究现状及分析 | 第10-11页 |
1.3 物理气相法制备CdSe晶体的概述 | 第11-12页 |
1.4 本论文研究的主要内容 | 第12-13页 |
第2章 晶体生长基本理论 | 第13-24页 |
2.1 概述 | 第13页 |
2.2 晶体生长条件 | 第13-20页 |
2.2.1 相变驱动力的定义以及一般表达式 | 第13-14页 |
2.2.2 亚稳态 | 第14-15页 |
2.2.3 过饱和度 | 第15-16页 |
2.2.4 成核势垒 | 第16-20页 |
2.3 晶面的发育 | 第20-22页 |
2.3.1 布拉维(Bravais)法则 | 第20-21页 |
2.3.2 居里-吴里弗原理 | 第21页 |
2.3.3 周期性键链(PBC)理论 | 第21-22页 |
2.4 气相中晶体的生长 | 第22-23页 |
2.5 气相中晶体生长的影响因素 | 第23-24页 |
第3章 CdSe晶体的制备及表征 | 第24-31页 |
3.1 CdSe晶体的生长实验 | 第24-26页 |
3.1.1 生长安瓿及其温场的设计 | 第24页 |
3.1.2 单晶生长实验 | 第24-26页 |
3.2 结果与讨论 | 第26-30页 |
3.2.1 XRD测试分析 | 第26-27页 |
3.2.2 晶体结构测试分析 | 第27-28页 |
3.2.3 ICP-MS测试 | 第28页 |
3.2.4 红外透过率测试 | 第28-30页 |
3.3 小结 | 第30-31页 |
第4章 硒化镉晶体的理化结构及其生长形貌的研究 | 第31-36页 |
4.1 硒化镉晶体的理化结构 | 第31-32页 |
4.1.1 硒化镉晶体结构 | 第31页 |
4.1.2 硒化镉能带结构 | 第31-32页 |
4.1.3 硒化镉其他性质 | 第32页 |
4.2 CdSe晶体生长的理论分析 | 第32-33页 |
4.3 CdSe晶体的生长习性 | 第33-34页 |
4.4 晶体形貌观测 | 第34页 |
4.5 生长晶面分析 | 第34-35页 |
4.6 小结 | 第35-36页 |
第5章 总结与展望 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-41页 |
致谢 | 第41-44页 |
在学期间的科研情况 | 第44页 |