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CdSe单晶物理气相法自由生长及形貌研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 前言第9-13页
    1.1 研究意义第9-10页
    1.2 硒化镉晶体的研究现状及分析第10-11页
    1.3 物理气相法制备CdSe晶体的概述第11-12页
    1.4 本论文研究的主要内容第12-13页
第2章 晶体生长基本理论第13-24页
    2.1 概述第13页
    2.2 晶体生长条件第13-20页
        2.2.1 相变驱动力的定义以及一般表达式第13-14页
        2.2.2 亚稳态第14-15页
        2.2.3 过饱和度第15-16页
        2.2.4 成核势垒第16-20页
    2.3 晶面的发育第20-22页
        2.3.1 布拉维(Bravais)法则第20-21页
        2.3.2 居里-吴里弗原理第21页
        2.3.3 周期性键链(PBC)理论第21-22页
    2.4 气相中晶体的生长第22-23页
    2.5 气相中晶体生长的影响因素第23-24页
第3章 CdSe晶体的制备及表征第24-31页
    3.1 CdSe晶体的生长实验第24-26页
        3.1.1 生长安瓿及其温场的设计第24页
        3.1.2 单晶生长实验第24-26页
    3.2 结果与讨论第26-30页
        3.2.1 XRD测试分析第26-27页
        3.2.2 晶体结构测试分析第27-28页
        3.2.3 ICP-MS测试第28页
        3.2.4 红外透过率测试第28-30页
    3.3 小结第30-31页
第4章 硒化镉晶体的理化结构及其生长形貌的研究第31-36页
    4.1 硒化镉晶体的理化结构第31-32页
        4.1.1 硒化镉晶体结构第31页
        4.1.2 硒化镉能带结构第31-32页
        4.1.3 硒化镉其他性质第32页
    4.2 CdSe晶体生长的理论分析第32-33页
    4.3 CdSe晶体的生长习性第33-34页
    4.4 晶体形貌观测第34页
    4.5 生长晶面分析第34-35页
    4.6 小结第35-36页
第5章 总结与展望第36-37页
参考文献第37-41页
致谢第41-44页
在学期间的科研情况第44页

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