| 论文提要 | 第5-7页 |
| 中文摘要 | 第7-9页 |
| abstract | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 晶体结构预测的重要性 | 第15-18页 |
| 1.1.1 晶体结构的重要性以及实验确定结构信息的困难 | 第15-16页 |
| 1.1.2 结构预测的发展历史 | 第16页 |
| 1.1.3 如何理解“晶体结构预测” | 第16-18页 |
| 1.2 高压研究的发展现状 | 第18页 |
| 1.3 本论文的选题目的和意义 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第19-21页 |
| 第2章 理论背景与计算方法 | 第21-33页 |
| 2.1 势能面 | 第21-24页 |
| 2.1.1 局域优化 | 第22-23页 |
| 2.1.2 全局优化 | 第23页 |
| 2.1.3 CALYPSO方法 | 第23页 |
| 2.1.4 确定稳定化学配比 | 第23-24页 |
| 2.2 电子结构 | 第24-30页 |
| 2.2.1 构造哈密顿量 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Hartree近似 | 第25-26页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第26-27页 |
| 2.2.4 密度泛函理论 | 第27-30页 |
| 2.3 晶格动力学 | 第30-33页 |
| 第3章 高压下的笼型超导体MgH | 第33-43页 |
| 3.1 背景介绍 | 第33-35页 |
| 3.2 计算方法 | 第35-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-41页 |
| 3.3.1 高压相结构设计 | 第36-38页 |
| 3.3.2 方钠石笼型晶体结构 | 第38页 |
| 3.3.3 电子性质 | 第38-39页 |
| 3.3.4 超导特性 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 高压诱导形成Mo-H化合物 | 第43-55页 |
| 4.1 背景介绍 | 第43-44页 |
| 4.2 计算细节 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-53页 |
| 4.3.1 钼的氢化物的稳定化学配比 | 第45-47页 |
| 4.3.2 Mo-H体系的晶体结构 | 第47-52页 |
| 4.3.3 氢含量对钼氢化合物结构的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.4 稳定Mo-H化合物的电子性质 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 高压下超导YC_2中的碳聚合行为 | 第55-69页 |
| 5.1 背景介绍 | 第55-57页 |
| 5.2 计算细节 | 第57-58页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第58-68页 |
| 5.3.1 高压相变序列 | 第58-59页 |
| 5.3.2 动力学稳定性 | 第59-60页 |
| 5.3.3 高压高温相图 | 第60-61页 |
| 5.3.4 YC_2中的碳聚合行为 | 第61-63页 |
| 5.3.5 碳聚合行为的机制分析 | 第63-65页 |
| 5.3.6 电子结构和超导电性 | 第65-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第6章 高压诱导铍的硫族化合物中的调制结构 | 第69-77页 |
| 6.1 背景介绍 | 第69-70页 |
| 6.2 计算细节 | 第70-71页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第71-76页 |
| 6.3 1 BeX体系的高压相变概述 | 第71-72页 |
| 6.3.2 BeS化合物 | 第72-74页 |
| 6.3.4 BeSe化合物 | 第74页 |
| 6.3.5 BeTe化合物 | 第74-75页 |
| 6.3.6 调制结构的动力学稳定性以及机制分析 | 第75-76页 |
| 6.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第7章 超硬超轻笼型材料 | 第77-89页 |
| 7.1 背景介绍 | 第77-79页 |
| 7.2 计算细节 | 第79-80页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第80-87页 |
| 7.3.1 LiBC笼型结构设计 | 第80-81页 |
| 7.3.2 电子性质 | 第81-83页 |
| 7.3.3 超低密度 | 第83-84页 |
| 7.3.4 热力学稳定性 | 第84页 |
| 7.3.5 动力学稳定性 | 第84-85页 |
| 7.3.6 力学性质 | 第85-87页 |
| 7.4 本章小结 | 第87-89页 |
| 总结与展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-105页 |
| 作者简介及科研成果 | 第105-107页 |
| 攻读研究生期间公开发表的学术论文 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |