| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 锡的同素异形体 | 第11-14页 |
| 1.1.1 β-Sn到α-Sn的相变 | 第12-14页 |
| 1.2 α-Sn—一种窄带隙半导体 | 第14-18页 |
| 1.2.1 体块α-Sn的半导体特性 | 第14-15页 |
| 1.2.2 α-Sn薄膜的半导体特性 | 第15-18页 |
| 1.3 α-Sn薄膜具有的拓扑表面态 | 第18-20页 |
| 1.3.1 α-Sn薄膜的能带结构 | 第18-19页 |
| 1.3.2 拓扑表面态 | 第19-20页 |
| 1.4 应力对α-Sn薄膜的调控作用 | 第20-23页 |
| 1.4.1 狄拉克半金属 | 第22页 |
| 1.4.2 α-Sn薄膜的输运行为 | 第22-23页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第23-27页 |
| 第二章 α-Sn薄膜制备工艺和表征手段 | 第27-41页 |
| 2.1 分子束外延技术(MBE) | 第27-35页 |
| 2.1.1 MBE基本原理 | 第28-30页 |
| 2.1.2 MBE设备组成 | 第30-35页 |
| 2.2 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第35-37页 |
| 2.3 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第37-39页 |
| 2.4 原子力显微镜(AFM) | 第39页 |
| 2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第39页 |
| 2.6 综合物性测量系统(PPMS) | 第39-41页 |
| 第三章 单晶α-Sn薄膜的外延生长 | 第41-59页 |
| 3.1 α-Sn薄膜的生长难点 | 第41-43页 |
| 3.1.1 α-Sn薄膜生长的衬底选择 | 第41-42页 |
| 3.1.2 亚稳相的相变 | 第42-43页 |
| 3.2 在Si(111)衬底上的生长 | 第43-46页 |
| 3.2.1 Si(111)衬底的处理 | 第43-44页 |
| 3.2.2 Sn薄膜的生长 | 第44-46页 |
| 3.3 在GaAs衬底上的生长 | 第46-48页 |
| 3.4 在InSb衬底上的生长 | 第48-57页 |
| 3.4.1 InSb衬底的处理 | 第48-49页 |
| 3.4.2 α-Sn薄膜的生长 | 第49-51页 |
| 3.4.3 α-Sn薄膜的表征 | 第51-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 样品的稳定性研究 | 第59-69页 |
| 4.1 α-Sn薄膜的时间稳定性 | 第59-60页 |
| 4.2 α-Sn薄膜的低温稳定性 | 第60-61页 |
| 4.3 α-Sn薄膜的高温稳定性 | 第61-66页 |
| 4.3.1 α-Sn的相变研究 | 第61-62页 |
| 4.3.2 α-Sn的高温XRD和拉曼光谱研究 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-69页 |
| 第五章 α-Sn薄膜的电学输运性质研究 | 第69-75页 |
| 5.1 α-Sn/InSb的电学输运性质测量 | 第69-72页 |
| 5.2 α-Sn/InSb/GaAs的电学输运性质测量 | 第72-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 硕士期间学术成果 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |