| 中文摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 太阳能电池的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 非晶硅薄膜材料 | 第12-14页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜的基本特性 | 第12-13页 |
| 1.3.2 非晶硅薄膜的制备以及其自身缺陷 | 第13-14页 |
| 1.4 微晶硅薄膜材料 | 第14-17页 |
| 1.4.1 微晶硅薄膜的基本特性 | 第14-15页 |
| 1.4.2 微晶硅薄膜生长模型 | 第15-17页 |
| 1.5 本文的研究目的及主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 硅基薄膜的制备及样品的表征分析 | 第19-28页 |
| 2.1 实验仪器PECVD的介绍 | 第19页 |
| 2.2 沉积原理及反应过程 | 第19-22页 |
| 2.3 实验样品的表征手段及分析方法 | 第22-28页 |
| 2.3.1 傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析 | 第22-23页 |
| 2.3.2 X射线衍射谱(XRD)分析 | 第23-24页 |
| 2.3.3 激光拉曼光谱(Raman)分析 | 第24-28页 |
| 第三章 沉积参数对非晶硅向微晶硅膜转化的影响 | 第28-35页 |
| 3.1 实验目的 | 第28页 |
| 3.2 实验过程 | 第28页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第28-34页 |
| 3.3.1 不同射频功率的红外光谱分析 | 第28-30页 |
| 3.3.2 不同射频功率下的紫外可见光谱分析 | 第30-31页 |
| 3.3.3 硅烷浓度对Si-H键合方式的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.4 硅烷浓度对样品光学特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 衬底温度对非晶硅薄膜到微晶硅薄膜转变的影响 | 第35-42页 |
| 4.1 实验目的 | 第35页 |
| 4.2 实验过程 | 第35页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 4.3.1 拉曼光谱分析 | 第35-37页 |
| 4.3.2 傅里叶红外光谱分析 | 第37-40页 |
| 4.3.3 紫外-可见光谱对薄膜样品的分析 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 沉积压强对非晶硅薄膜到微晶硅薄膜转变的影响 | 第42-49页 |
| 5.1 实验目的 | 第42页 |
| 5.2 实验过程 | 第42页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第42-47页 |
| 5.3.1 沉积压力对沉积速率的影响 | 第42-43页 |
| 5.3.2 激光拉曼谱的表征 | 第43-45页 |
| 5.3.3 紫外-可见光谱的表征 | 第45-46页 |
| 5.3.4 结构因子的分析 | 第46-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第六章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 6.1 本文主要结论 | 第49-50页 |
| 6.2 展望及对后续工作的完善 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |