| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 尺寸对相变行为的影响 | 第13-17页 |
| 1.2.1 小颗粒的相变行为 | 第13-14页 |
| 1.2.2 薄晶体的相变行为 | 第14-17页 |
| 1.3 Cu_2Se块体的相变行为 | 第17-25页 |
| 1.3.1 二级相变理论 | 第18-19页 |
| 1.3.2 Cu_2Se的相变行为 | 第19-22页 |
| 1.3.3 Cu_(2-x)Se的相变行为 | 第22-25页 |
| 1.4 Cu_2Se低温相的晶体结构 | 第25-32页 |
| 1.4.1 早期研究 | 第25-28页 |
| 1.4.2 层状多形态结构 | 第28-32页 |
| 1.5 VO_2的结构及相变行为 | 第32-36页 |
| 1.5.1 VO_2多种物相简述 | 第32-34页 |
| 1.5.2 VO_2(A)的相变 | 第34-36页 |
| 1.6 本文的选题依据和研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 研究方法 | 第38-48页 |
| 2.1 样品表征方法 | 第38-43页 |
| 2.1.1 透射电子显微术(TEM)和选区电子衍射术(SAED) | 第39-40页 |
| 2.1.2 扫描透射电子显微术(STEM)和球差校正技术 | 第40-42页 |
| 2.1.3 原位加热透射电镜实验方法 | 第42-43页 |
| 2.2 样品制备方法 | 第43-48页 |
| 2.2.1 聚焦离子束(FIB)样品加工技术 | 第43-45页 |
| 2.2.2 用于原位加热电镜实验的聚焦离子束样品加工方法 | 第45-48页 |
| 第三章 Cu_2Se楔形纳米晶中的可控相变 | 第48-62页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 样品和实验信息 | 第49-50页 |
| 3.2.1 样品制备和实验方法 | 第49页 |
| 3.2.2 样品单晶属性的电子衍射表征 | 第49-50页 |
| 3.2.3 样品化学成分的能谱表征 | 第50页 |
| 3.3 样品中物相的辨别 | 第50-53页 |
| 3.3.1 Cu_2Se高温相和低温相的晶格 | 第50-52页 |
| 3.3.2 TEM图上区分两相的方法 | 第52页 |
| 3.3.3 两相的共格性 | 第52-53页 |
| 3.4 温度对相界面的影响 | 第53-54页 |
| 3.5 实验数据和模型的比照 | 第54-56页 |
| 3.6 实验的可重复性 | 第56-57页 |
| 3.7 与一级相变材料的比较 | 第57-58页 |
| 3.8 温度对相界面的可逆操控 | 第58-59页 |
| 3.9 原位实验中电子辐照对样品的影响 | 第59-61页 |
| 3.9.1 原子位移 | 第59-60页 |
| 3.9.2 溅射 | 第60页 |
| 3.9.3 加热 | 第60页 |
| 3.9.4 电荷残留 | 第60-61页 |
| 3.9.5 辐照分解和非晶碳沉积 | 第61页 |
| 3.10 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 楔形纳米晶体相变的热力学模型 | 第62-72页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 前提与假设 | 第63-65页 |
| 4.3 一级相变材料的情况 | 第65-66页 |
| 4.4 二级相变材料的情况 | 第66-68页 |
| 4.5 一级相变与二级相变的区别与联系 | 第68-69页 |
| 4.6 模型的两种描述方式:厚度h和距离x | 第69页 |
| 4.7 文献对一级相变模型的印证 | 第69-70页 |
| 4.8 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 电子束辐照下Cu_2Se样品的温度分布 | 第72-80页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 样品制备和实验方法 | 第72-73页 |
| 5.3 前提与假设 | 第73-74页 |
| 5.4 等厚样品中温度分布的模型 | 第74-76页 |
| 5.5 非等厚样品中温度分布的模型 | 第76-77页 |
| 5.6 原位实验中温度不均匀程度的分析 | 第77-79页 |
| 5.7 本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 Cu_2Se低温相结构的表征和分析 | 第80-90页 |
| 6.1 引言 | 第80-81页 |
| 6.2 样品制备和实验方法 | 第81页 |
| 6.3 衍射图谱分析 | 第81-83页 |
| 6.4 高分辨HAADF像分析 | 第83-85页 |
| 6.5 结构变体模型的建立 | 第85-88页 |
| 6.6 HAADF像模拟结果 | 第88页 |
| 6.7 本章小结 | 第88-90页 |
| 第七章 VO_2(A)相变过渡态的表征与分析 | 第90-96页 |
| 7.1 引言 | 第90页 |
| 7.2 样品制备和实验方法 | 第90-91页 |
| 7.3 STEM中两相的区分 | 第91-92页 |
| 7.4 相变过程中的单层过渡态 | 第92-93页 |
| 7.5 相变过程中的层内优先转变 | 第93-94页 |
| 7.6 本章小结 | 第94-96页 |
| 第八章 结论与展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 附录 | 第110-114页 |
| 个人简历 | 第114-116页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第116-117页 |
