摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 Cs I:Tl闪烁晶体 | 第11-14页 |
1.2.1 CsI:Tl闪烁晶体光转换机理 | 第11-12页 |
1.2.2 CsI:Tl闪烁晶体特性 | 第12-14页 |
1.3 CsI:Tl闪烁晶体转换屏的研究进展 | 第14-15页 |
1.4 X射线探测器 | 第15-17页 |
1.4.1 无机闪烁晶体X射线探测器 | 第15-16页 |
1.4.2 集成化X射线探测器 | 第16-17页 |
1.5 课题研究的内容 | 第17-19页 |
第二章 CsI:Tl闪烁晶体薄膜光转换结构模型 | 第19-35页 |
2.1 理想无晶柱的CsI:Tl晶体的光转换研究 | 第19-26页 |
2.1.1 无限大薄层 | 第19页 |
2.1.2 理想无晶柱的CsI:Tl晶体层 | 第19-20页 |
2.1.3 理想CsI:Tl晶体层对X-ray的荧光透过率 | 第20-22页 |
2.1.4 理想CsI:Tl晶体单元修正模型计算 | 第22-26页 |
2.2 具有理想晶柱结构的薄膜模型 | 第26-30页 |
2.2.1 理想晶柱结构的薄膜层的荧光透过率的计算模型 | 第28-30页 |
2.3 计算结果与分析 | 第30-33页 |
2.3.1 荧光转换因子与薄膜厚度的关系 | 第30-31页 |
2.3.2 荧光转换因子与薄膜有无晶柱结构的关系 | 第31-32页 |
2.3.3 荧光转换因子与不同能量X光子入射的关系 | 第32-33页 |
2.4 CsI:Tl闪烁薄膜运用于X-ray探测的可行性 | 第33-35页 |
第三章 CsI:Tl闪烁晶体薄膜制备实验 | 第35-43页 |
3.1 CsI:Tl闪烁晶体薄膜制备方法 | 第35页 |
3.2 镀膜设备和实验材料 | 第35-38页 |
3.2.1 实验材料 | 第35-36页 |
3.2.2 蒸发源 | 第36页 |
3.2.3 基片的选择 | 第36-37页 |
3.2.4 镀膜设备 | 第37-38页 |
3.3 CsI:TI闪烁晶体薄膜的制备工艺 | 第38-39页 |
3.3.1 实验前期准备 | 第38-39页 |
3.3.2 镀膜实验步骤 | 第39页 |
3.4 薄膜分析测试手段和设备 | 第39-43页 |
3.4.1 光学金相显微镜 | 第39-40页 |
3.4.2 扫描电子显微镜 | 第40-41页 |
3.4.3 X射线衍射分析技术 | 第41-43页 |
第四章 CsI:Tl闪烁晶体薄膜制备的工艺研究 | 第43-56页 |
4.1 薄膜样品制备 | 第43页 |
4.2 测试结果及讨论 | 第43-55页 |
4.2.1 不同沉积速率对薄膜样品微结构的影响 | 第43-48页 |
4.2.2 薄膜厚度对不同衬底上CsI:Tl薄膜微结构的影响 | 第48-52页 |
4.2.3 真空退火对CsI:Tl薄膜晶体结构的影响 | 第52-55页 |
4.3 小结 | 第55-56页 |
第五章 CsI:Tl闪烁晶体薄膜的成像研究 | 第56-62页 |
5.1 X射线成像探测器 | 第56-58页 |
5.1.1 X射线成像探测技术 | 第56页 |
5.1.2 X射线闪烁成像探测器 | 第56-58页 |
5.2 CsI:Tl闪烁晶体薄膜的成像研究 | 第58-60页 |
5.2.1 样品成像的测试平台 | 第58-59页 |
5.2.2 实物成像 | 第59-60页 |
5.3 本章小结 | 第60-62页 |
第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
6.1 结论 | 第62-63页 |
6.2 展望 | 第63-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |