| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 低电源电压下 SRAM 的设计 | 第15-18页 |
| 1.2.1 低电源电压下 SRAM 设计的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.2 改善 SRAM 低电压下工作的方案的瓶颈 | 第17-18页 |
| 1.3 论文的主要内容和章节安排 | 第18-19页 |
| 1.3.1 论文主要内容 | 第18-19页 |
| 1.3.2 章节安排 | 第19页 |
| 1.4 课题研究的意义 | 第19-20页 |
| 第二章 SRAM 的理论基础 | 第20-44页 |
| 2.1 SRAM 的存储单元 | 第20-23页 |
| 2.1.1 存储单元的历史和发展趋势 | 第20-22页 |
| 2.1.2 SRAM 存储单元的读写基本操作 | 第22-23页 |
| 2.2 静态噪声容限 | 第23-25页 |
| 2.3 SRAM 存储阵列的布局 | 第25-29页 |
| 2.3.1 小容量的存储阵列布局 | 第26-27页 |
| 2.3.2 大容量的存储阵列布局 | 第27-29页 |
| 2.4 灵敏放大器 | 第29-33页 |
| 2.4.1 电流镜型灵敏放大器 | 第30页 |
| 2.4.2 交叉耦合型灵敏放大器 | 第30-32页 |
| 2.4.3 锁存型灵敏放大器 | 第32-33页 |
| 2.5 地址译码电路的设计 | 第33-37页 |
| 2.6 位线预充电电路 | 第37-38页 |
| 2.7 追踪机制 | 第38-40页 |
| 2.8 SRAM 整体结构及读写操作介绍 | 第40-43页 |
| 2.8.1 SRAM 读操作 | 第41-42页 |
| 2.8.2 SRAM 写操作 | 第42-43页 |
| 2.9 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 改善低电压对 SRAM 影响的方法 | 第44-64页 |
| 3.1 新型存储单元的设计 | 第44-47页 |
| 3.1.1 8 管存储单元 | 第45-46页 |
| 3.1.2 7 管存储单元 | 第46-47页 |
| 3.2 写辅助电路 | 第47-54页 |
| 3.2.1 降低 Vdd 电压 | 第48-50页 |
| 3.2.2 抬高 Vss 电压 | 第50-51页 |
| 3.2.3 抬高字线电压 | 第51-53页 |
| 3.2.4 负位线电压 | 第53-54页 |
| 3.3 读辅助电路 | 第54-63页 |
| 3.3.1 调节晶体管的宽度 | 第54-56页 |
| 3.3.2 降低字线电压 | 第56-58页 |
| 3.3.3 降低位线电压 | 第58-60页 |
| 3.3.4 抬高 Vdd 电压 | 第60页 |
| 3.3.5 温度对 SNM 的影响 | 第60-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 新型预充电负位线电路 | 第64-70页 |
| 4.1 位线电压追踪电路 | 第64-65页 |
| 4.2 预放电电路 | 第65-66页 |
| 4.3 电路共享方案 | 第66-67页 |
| 4.4 仿真结果 | 第67-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 整体 SRAM 仿真 | 第70-74页 |
| 5.1 SRAM 的整体电路 | 第70-71页 |
| 5.2 仿真结果 | 第71-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 结束语 | 第74-78页 |
| 6.1 主要的工作和创新点 | 第74-75页 |
| 6.1.1 主要工作 | 第74-75页 |
| 6.1.2 创新点 | 第75页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第75-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第85页 |