| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 从石墨烯到二维材料家族 | 第11-14页 |
| 1.2 二维过渡金属二硫属化物的研究介绍 | 第14-25页 |
| 1.2.1 二维过渡金属二硫属化物的晶格结构与电子特性 | 第15-17页 |
| 1.2.2 二维过渡金属二硫属化物的相变与功能化 | 第17-19页 |
| 1.2.3 二维过渡金属二硫属化物的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.2.4 二维过渡金属二硫属化物的应用领域 | 第22-25页 |
| 1.3 VA族单元素烯的研究介绍 | 第25-33页 |
| 1.3.1 VA族单元素烯的晶格结构和特性 | 第26-28页 |
| 1.3.2 VA族单元素烯中电子特性的调制 | 第28-30页 |
| 1.3.3 VA族单元素烯的制备方法 | 第30-31页 |
| 1.3.4 VA族单元素烯的应用领域 | 第31-33页 |
| 1.4 二维材料异质结的研究介绍 | 第33-35页 |
| 1.5 本论文的研究内容和章节安排 | 第35-37页 |
| 第二章 实验技术及其原理 | 第37-55页 |
| 2.1 超高真空技术简介 | 第37-40页 |
| 2.2 分子束外延技术简介 | 第40-42页 |
| 2.3 低能电子衍射技术简介 | 第42-43页 |
| 2.4 X射线光电子能谱技术简介 | 第43-44页 |
| 2.5 扫描隧道显微技术简介 | 第44-50页 |
| 2.5.1 扫描隧道显微技术的基本原理 | 第44-45页 |
| 2.5.2 扫描隧道显微镜的基本构造与工作原理 | 第45-46页 |
| 2.5.3 扫描隧道显微谱 | 第46-48页 |
| 2.5.4 针尖的制备与处理 | 第48-50页 |
| 2.6 实验仪器简介 | 第50-55页 |
| 第三章 自然图案化的1H/1T-PtSe_2异质结构制备与调制 | 第55-73页 |
| 3.1 背景介绍 | 第55-59页 |
| 3.1.1 新型二维TMDs材料PtSe_2 | 第55-56页 |
| 3.1.2 二维TMDs材料中的相变与功能化 | 第56-59页 |
| 3.2 1H/1T-PtSe_2异质结构的STM研究 | 第59-61页 |
| 3.3 1H/1T-PtSe_2异质结构的生长方法与形成机制 | 第61-64页 |
| 3.4 1H/1T-PtSe_2异质结构与1T-PtSe_2结构的可逆转换 | 第64-65页 |
| 3.5 1H/1T-PtSe_2异质结构中不同1H区域比例的调控 | 第65-68页 |
| 3.6 1H/1T-PtSe_2异质结构的功能化——选择性吸附 | 第68-71页 |
| 3.7 本章小结 | 第71-73页 |
| 第四章 蜂巢状单层锑烯的结构调制 | 第73-87页 |
| 4.1 背景介绍 | 第73-77页 |
| 4.1.1 锑烯——一种新型单元素二维原子晶体 | 第73-75页 |
| 4.1.2 应力调制锑烯的结构和能带特性 | 第75-77页 |
| 4.2 平面蜂巢状单层锑烯的制备 | 第77-79页 |
| 4.3 平面蜂巢状单层锑烯的结构研究 | 第79-81页 |
| 4.4 平面蜂巢状单层锑烯与衬底间的相互作用研究 | 第81-84页 |
| 4.5 平面蜂巢状单层锑烯电子结构与性质的研究 | 第84-86页 |
| 4.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 新型层状二维材料NiSe_2的制备 | 第87-97页 |
| 5.1 背景介绍 | 第87-89页 |
| 5.2 二维NiSe_2材料在Ni(111)衬底上的制备 | 第89-91页 |
| 5.3 二维NiSe_2材料结构的LEED研究 | 第91-92页 |
| 5.4 二维NiSe_2材料结构的STM与理论模拟研究 | 第92-95页 |
| 5.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第113-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
