| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 序言 | 第10-27页 |
| 1.1 绪论 | 第10页 |
| 1.2 二维原子晶体简介 | 第10-16页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第11页 |
| 1.2.2 硅烯和锗烯 | 第11-12页 |
| 1.2.3 六角氮化硼 | 第12页 |
| 1.2.4 层状过渡金属二硫族化合物 | 第12-13页 |
| 1.2.5 层状Ⅳ族和Ⅲ族金属硫族化合物 | 第13-15页 |
| 1.2.6 Ⅳ族元素与Ⅲ-Ⅴ族元素构成的二元化合物 | 第15页 |
| 1.2.7 二维晶体的谷物理与自旋效应 | 第15-16页 |
| 1.2.8 硅烯和石墨烯中的量子自旋霍尔效应 | 第16页 |
| 1.3 研究方法简介 | 第16-27页 |
| 1.3.1 绝热近似 | 第17-18页 |
| 1.3.2 密度泛函理论 | 第18-19页 |
| 1.3.3 局域密度近似 | 第19-20页 |
| 1.3.4 扫描隧道显微镜(STM)模拟 | 第20页 |
| 1.3.5 Slater-Koster紧束缚方法 | 第20-23页 |
| 1.3.6 最大局域化瓦尼尔轨道方法 | 第23-27页 |
| 第二章 基于硼烯的二维类石墨烯狄拉克材料β_(12)-XBeB_5(X=H,F,Cl)设计 | 第27-40页 |
| 2.1 研究背景 | 第27页 |
| 2.2 设计思路 | 第27-31页 |
| 2.3 计算方法 | 第31-32页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第32-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 二维非平面六角蜂窝状结构p_(x,y)轨道Dirac态的紧束缚模型和第一性原理研究 | 第40-48页 |
| 3.1 研究背景 | 第40-41页 |
| 3.2 计算方法 | 第41-42页 |
| 3.3 模型哈密顿量 | 第42-44页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 新型二维过渡金属二硫族化合物的生长与物性研究 | 第48-71页 |
| 4.1 研究背景 | 第48页 |
| 4.2 单层新型半导体过渡金属二硫族化合物PtSe_2在Pt(111)表面的结构与物性 | 第48-57页 |
| 4.2.1 计算方法 | 第49页 |
| 4.2.2 原子结构 | 第49-50页 |
| 4.2.3 PtSe_2体相与单层结构的能带 | 第50-52页 |
| 4.2.4 单层PtSe_2在Pt(111)基底上的生长 | 第52-56页 |
| 4.2.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 4.3 NiSe_2的物性研究 | 第57-64页 |
| 4.3.1 计算方法 | 第57页 |
| 4.3.2 原子结构 | 第57-58页 |
| 4.3.3 体相与单层结构的能带 | 第58-59页 |
| 4.3.4 单层NiSe_2在Ni(111)基底上的生长 | 第59-62页 |
| 4.3.5 本节小结 | 第62-64页 |
| 4.4 MoS_2(0001)薄层中的表面受限量子阱态 | 第64-70页 |
| 4.4.1 量子阱态 | 第64-65页 |
| 4.4.2 计算方法 | 第65-66页 |
| 4.4.3 结果与讨论 | 第66-70页 |
| 4.4.4 本节小结 | 第70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-91页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
