原子层沉积的蒙特卡洛模拟及其空间位阻效应的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 前言 | 第12-14页 |
| 1.2 原子层沉积技术概述 | 第14-20页 |
| 1.2.1 ALD技术的发展 | 第14-15页 |
| 1.2.2 ALD过程及其工艺特点 | 第15-19页 |
| 1.2.3 ALD的应用 | 第19-20页 |
| 1.3 计算机模拟概述 | 第20-22页 |
| 第二章 原子层沉积的计算机仿真 | 第22-35页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜生长理论及模拟方法 | 第23-28页 |
| 2.2.1 薄膜的生长过程 | 第23-25页 |
| 2.2.2 薄膜的生长模式 | 第25-26页 |
| 2.2.3 薄膜生长模拟的方法 | 第26-28页 |
| 2.3 ALD薄膜生长模型的分析 | 第28-34页 |
| 2.3.1 生长模型概述 | 第28-30页 |
| 2.3.2 基于反应动力学的模型 | 第30-32页 |
| 2.3.3 基于表面热力学及动力学的模型 | 第32-34页 |
| 2.4 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 原子层沉积过程的三维形貌演化 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 模型的建立与实现 | 第35-41页 |
| 3.2.1 基本模型的建立 | 第36-38页 |
| 3.2.2 饱和事件的建模 | 第38-39页 |
| 3.2.3 表面弛豫行为的建模 | 第39-41页 |
| 3.3 计算细节 | 第41-44页 |
| 3.3.1 计算量的定义 | 第41页 |
| 3.3.2 原子层沉积生长阶段的界定 | 第41-42页 |
| 3.3.3 饱和沉积的实现 | 第42-44页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第44-48页 |
| 3.4.1 薄膜GPC分析 | 第44-46页 |
| 3.4.2 薄膜形貌分析 | 第46-48页 |
| 3.5 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 原子层沉积生长的研究 | 第49-61页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 其他因素对于ALD生长的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.1 脉冲时间对于ALD生长的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.2 扩散速率对于ALD初期的影响 | 第52页 |
| 4.3 空间位阻对于ALD初期的影响 | 第52-60页 |
| 4.3.1 空间位阻对形貌的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 空间位阻对生长率的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.3 空间位阻对临界循环数Nc的影响 | 第56-60页 |
| 4.4 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-62页 |
| 5.1 主要结论与创新点 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-72页 |
| 附录Ⅰ 致谢 | 第72-73页 |
| 附录Ⅱ 攻读硕士期间研究成果 | 第73页 |
