| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 过渡金属二硫族化合物中的电荷密度波 | 第14-20页 |
| 1.2.1 费米面嵌套 | 第16-18页 |
| 1.2.2 电声子相互作用 | 第18-19页 |
| 1.2.3 激子绝缘体 | 第19-20页 |
| 1.3 过渡金属二硫族化合物中电荷密度波的调控 | 第20-27页 |
| 1.3.1 低维化对电荷密度波的调控 | 第20-23页 |
| 1.3.2 应力对电荷密度波的调控 | 第23-24页 |
| 1.3.3 载流子掺杂对电荷密度波的调控 | 第24-25页 |
| 1.3.4 电荷密度波材料的潜在应用价值 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文研究目的、内容与意义 | 第27-29页 |
| 第2章 计算方法 | 第29-37页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第29-34页 |
| 2.1.1 多体系统和绝热近似 | 第29-30页 |
| 2.1.2 Thomas-Fermi-Dirac近似 | 第30页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第30-31页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| 2.1.5 交换关联泛函 | 第32-33页 |
| 2.1.6 自洽求解Kohn-Sham方程 | 第33-34页 |
| 2.2 密度泛函微扰理论 | 第34-37页 |
| 2.2.1 晶格动力学 | 第34-36页 |
| 2.2.2 电子-声子耦合和超导转变温度 | 第36-37页 |
| 第3章 应力和载流子掺杂调控单层1T-TiSe_2的电荷密度波 | 第37-48页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 晶体结构和计算细节 | 第38-39页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第38页 |
| 3.2.2 计算细节 | 第38-39页 |
| 3.3 结果及讨论 | 第39-47页 |
| 3.3.1 低维化调控 | 第39-42页 |
| 3.3.2 应力调控 | 第42-45页 |
| 3.3.3 载流子调控 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 应力和载流子掺杂调控单层1T-TaSe_2的电荷密度波 | 第48-58页 |
| 4.1 研究背景 | 第48-49页 |
| 4.2 晶体结构和计算细节 | 第49-50页 |
| 4.2.1 晶体结构 | 第49-50页 |
| 4.2.2 计算细节 | 第50页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第50-57页 |
| 4.3.1 单层1T-TaSe_2的电子结构和声子性质 | 第50-53页 |
| 4.3.2 应力调控 | 第53-54页 |
| 4.3.3 载流子调控 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 应力和载流子掺杂调控单层1H-TaSe_2的电荷密度波 | 第58-66页 |
| 5.1 研究背景 | 第58-59页 |
| 5.2 晶体结构和计算细节 | 第59-60页 |
| 5.2.1 晶体结构 | 第59-60页 |
| 5.2.2 计算细节 | 第60页 |
| 5.3 结果及讨论 | 第60-65页 |
| 5.3.1 单层1H-TaSe_2的电子结构和声子性质 | 第60-62页 |
| 5.3.2 应力调控 | 第62-64页 |
| 5.3.3 载流子调控 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 全文总结 | 第66-67页 |
| 6.2 工作展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第73页 |
