| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| ·CIGS 薄膜太阳电池发展史 | 第14-17页 |
| ·CIGS 薄膜太阳电池的国外研究历史与现状 | 第14-16页 |
| ·CIGS 薄膜太阳电池的国内研究历史与现状 | 第16-17页 |
| ·CIGS 薄膜的制备技术 | 第17-21页 |
| ·真空沉积方法 | 第18-20页 |
| ·非真空沉积方法和混合法工艺 | 第20-21页 |
| ·电化学沉积法的基本过程及对 CIGS 薄膜的影响参数 | 第21-24页 |
| ·利用电化学法沉积 CIGS 薄膜的基本过程 | 第21-22页 |
| ·影响电化学法制备 CIGS 薄膜的因素 | 第22-24页 |
| ·电化学法制备 CIGS 薄膜和 CdS/CIS 界面电荷传输的研究进展 | 第24-25页 |
| ·目前存在的问题 | 第25-26页 |
| ·论文研究思路和主要内容 | 第26-27页 |
| ·研究思路 | 第26页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-35页 |
| 第二章 电沉积 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的组份、结构及光电性能的研究 | 第35-55页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验过程 | 第36-38页 |
| ·试剂和仪器 | 第36页 |
| ·基底的处理 | 第36-37页 |
| ·薄膜的制备 | 第37页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-49页 |
| ·表面形貌 | 第38-39页 |
| ·EDS 能谱分析 | 第39-41页 |
| ·XRD 对 CIGS 薄膜的分析 | 第41-42页 |
| ·SPS 对 CIGS 薄膜的光电性质分析 | 第42-44页 |
| ·TPS 对 CIGS 薄膜的光电性能的分析 | 第44-46页 |
| ·XRD 对不同退火温度制备的 CIGS 薄膜的分析 | 第46-47页 |
| ·不同退火温度制备的 CIGS 薄膜的 SEM 表征 | 第47-48页 |
| ·利用 SPS 对不同退火温度制备的 CIGS 薄膜的光电性能的表征 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第三章 CdS 薄膜对 CIS 薄膜光电性能的影响 | 第55-67页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56-58页 |
| ·试剂和仪器 | 第56-57页 |
| ·CIS 薄膜的制备 | 第57页 |
| ·CdS 薄膜的制备 | 第57-58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-64页 |
| ·CdS 薄膜厚度对稳态表面光电压的影响 | 第58-59页 |
| ·CdS 薄膜厚度对瞬态表面光电压的影响 | 第59-60页 |
| ·表面形貌 | 第60-61页 |
| ·EDS 能谱分析 | 第61-62页 |
| ·CIS 薄膜的光电性质分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 工作总结与展望 | 第67-69页 |
| ·工作总结 | 第67-68页 |
| ·存在的问题与展望 | 第68-69页 |
| 硕士期间发表和已完成的论文与工作 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
