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基于PCM的B+-tree索引的研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第12-20页
    1.1 研究背景及意义第12-14页
    1.2 国内外研究现状第14-17页
        1.2.1 存储器研究第14-15页
        1.2.2 B+-tree索引研究第15-17页
    1.3 本文主要工作第17-18页
    1.4 本文组织结构第18-20页
第2章 相变存储器及其索引管理的研究现状第20-30页
    2.1 引言第20页
    2.2 相变存储器PCM第20-24页
        2.2.1 PCM概述第20-23页
        2.2.2 PCM主存系统架构第23-24页
    2.3 基于PCM的B+-tree索引的研究第24-28页
    2.4 本章小结第28-30页
第3章 基于混合主存的B+-tree索引读访问优化第30-50页
    3.1 引言第30-31页
    3.2 B+-tree和溢出结点机制第31-32页
    3.3 CB+-tree索引结构第32-35页
        3.3.1 CB+-tree结构设计理论依据第32页
        3.3.2 CB+-tree索引结构第32-35页
    3.4 读写倾向性判断第35-38页
        3.4.1 访问信息第35-36页
        3.4.2 读写倾向性第36-38页
    3.5 CB+-tree索引操作第38-42页
        3.5.1 插入操作第38-41页
        3.5.2 删除操作第41页
        3.5.3 查询操作第41-42页
    3.6 实验设计及结果分析第42-49页
        3.6.1 实验环境与数据集第42-43页
        3.6.2 预测算法结果分析第43-45页
        3.6.3 CB+-tree性能分析第45-49页
    3.7 本章小结第49-50页
第4章 基于混合主存的B+-tree索引迁移算法第50-62页
    4.1 引言第50页
    4.2 XB+-tree索引算法第50-54页
        4.2.1 XB+-tree索引设计理念第51页
        4.2.2 XB+-tree索引结构第51-54页
    4.3 DRAM结点管理算法第54-55页
    4.4 实验设计与结果分析第55-60页
    4.5 本章小结第60-62页
第5章 总结与展望第62-64页
    5.1 本文工作总结第62-63页
    5.2 下一步工作展望第63-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-70页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第70页

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