低功耗单栅非挥发性存储器的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-15页 |
| 1.1.1 射频识别标签简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 半导体存储器的分类 | 第10-13页 |
| 1.1.3 应用于RFID中的存储器技术发展现状 | 第13-15页 |
| 1.2 论文所完成的主要工作 | 第15页 |
| 1.3 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 相关存储器工作原理 | 第17-31页 |
| 2.1 量子隧穿效应 | 第17-21页 |
| 2.1.1 隧穿理论基础 | 第17-19页 |
| 2.1.2 Fowler-Nordheim隧穿 | 第19-21页 |
| 2.2 EEPROM和Flash工作原理 | 第21-25页 |
| 2.2.1 EEPROM工作原理 | 第21-23页 |
| 2.2.2 Flash工作原理 | 第23-25页 |
| 2.3 SRAM工作原理 | 第25-28页 |
| 2.4 小结 | 第28-31页 |
| 第三章 单栅存储器结构设计及工作原理 | 第31-43页 |
| 3.1 工艺参数 | 第31-32页 |
| 3.2 MOS电容 | 第32-35页 |
| 3.3 存储单元结构及工作原理 | 第35-40页 |
| 3.3.1 存储单元结构设计 | 第35-36页 |
| 3.3.2 存储单元工作原理 | 第36-40页 |
| 3.4 存储阵列 | 第40-41页 |
| 3.5 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 存储单元设计参数的确定 | 第43-57页 |
| 4.1 电平预置单元设计参数的确定 | 第43-44页 |
| 4.2 数据存储单元设计参数的确定 | 第44-56页 |
| 4.2.1 储值方式1设计参数的确定 | 第45-52页 |
| 4.2.2 储值方式2设计参数的确定 | 第52-56页 |
| 4.3 两种储值方式的比较 | 第56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 版图设计与芯片测试 | 第57-63页 |
| 5.1 存储器版图设计 | 第57-59页 |
| 5.1.1 电平预置单元版图设计 | 第57-58页 |
| 5.1.2 数据存储单元版图设计 | 第58-59页 |
| 5.2 芯片测试与结果分析 | 第59-62页 |
| 5.3 小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
