| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 存储器简介 | 第9-10页 |
| 1.2 下一代非易失性存储器 | 第10-12页 |
| 1.2.1 磁性存储器 | 第10页 |
| 1.2.2 相变存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.3 铁电存储器 | 第11页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 阻变式随机存储器概述 | 第12-18页 |
| 1.3.1 RRAM中的基本概念与重要参数 | 第12-13页 |
| 1.3.2 RRAM的材料体系 | 第13页 |
| 1.3.3 RRAM的电阻转变特性 | 第13-14页 |
| 1.3.4 RRAM的阻变机制 | 第14-18页 |
| 1.4 基于Li离子迁移的阻变存储器简介 | 第18-22页 |
| 1.4.1 Li离子迁移原理 | 第18-19页 |
| 1.4.2 Li离子迁移在RRAM中的应用 | 第19-22页 |
| 1.5 本论文研究内容及意义 | 第22-23页 |
| 第二章 Au/LiFePO_4/C器件的制备及表征 | 第23-31页 |
| 2.1 Au/LiFePO_4/C器件的制备流程 | 第23-26页 |
| 2.1.1 清洗衬底 | 第23-24页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积制备LiFePO_4薄膜 | 第24-25页 |
| 2.1.3 热蒸镀Au顶电极 | 第25-26页 |
| 2.2 LiFePO_4薄膜的表征方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.2.3 霍尔效应电学参数测试仪(Hall) | 第27页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第27-28页 |
| 2.3 主要测试仪器 | 第28-30页 |
| 2.3.1 电学测试仪器 | 第28页 |
| 2.3.2 拉曼光谱仪(Raman) | 第28-29页 |
| 2.3.3 二次离子质谱仪(SIMS) | 第29-30页 |
| 2.4 处理数据软件 | 第30页 |
| 2.5 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 Au/LiFePO_4/C阻变器件的构建及其性能研究 | 第31-44页 |
| 3.1 Au/LiFePO_4/C阻变存储器件的构建 | 第31-40页 |
| 3.1.1 阻变层材料的选择与制备条件的优化 | 第31-39页 |
| 3.1.2 电极材料的选择 | 第39-40页 |
| 3.2 Au/LiFePO_4/C器件性能的研究 | 第40-43页 |
| 3.2.1 基本的阻变性能 | 第40-42页 |
| 3.2.2 多级存储的实现 | 第42-43页 |
| 3.3 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Au/LiFePO_4/C器件阻变机制的探究 | 第44-55页 |
| 4.1 对Au/LiFePO_4/C器件阻变机制的分析 | 第44-46页 |
| 4.1.1 不同底电极的对比实验 | 第44-45页 |
| 4.1.2 不同关闭电压的对比实验 | 第45页 |
| 4.1.3 不同阻变层厚度的对比实验 | 第45-46页 |
| 4.2 对Au/LiFePO_4/C器件阻变机制的探究 | 第46-54页 |
| 4.2.1 I-V对数拟合 | 第46-47页 |
| 4.2.2 阻值的温度依赖性测试 | 第47-48页 |
| 4.2.3 二次离子质谱测试 | 第48页 |
| 4.2.4 拉曼测试 | 第48-52页 |
| 4.2.5 非氧离子迁移导致阻变的分析 | 第52-53页 |
| 4.2.6 阻变机制模型 | 第53-54页 |
| 4.3 小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第64页 |
