| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 透明导电薄膜 | 第10页 |
| 1.3 透明导电氧化物薄膜简介 | 第10-13页 |
| 1.3.1 氧化锡(SnO_2)导电薄膜 | 第10-11页 |
| 1.3.2 SnO_2:F(FTO)导电薄膜 | 第11-12页 |
| 1.3.3 Sb：Sn（ATO)导电薄膜 | 第12页 |
| 1.3.4 Zn O∶A1(ZAO)导电薄膜 | 第12-13页 |
| 第二章 ITO导电薄膜综述 | 第13-23页 |
| 2.1 ITO透明导电薄膜性能 | 第13-15页 |
| 2.1.1 ITO薄膜晶体结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 ITO薄膜的电学性能 | 第14-15页 |
| 2.1.3 ITO薄膜的光学性能 | 第15页 |
| 2.2 ITO透明导电薄膜制备方法 | 第15-21页 |
| 2.2.1 磁控溅射法 | 第16-17页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| 2.2.3 化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| 2.2.4 溶胶—凝胶法 | 第18-19页 |
| 2.2.5 喷雾热解法 | 第19-20页 |
| 2.2.6 真空蒸发法 | 第20页 |
| 2.2.7 离子束镀膜法 | 第20-21页 |
| 2.3 ITO薄膜研究现状及应用 | 第21页 |
| 2.4 课题研究内容 | 第21-23页 |
| 第三章 实验部分 | 第23-27页 |
| 3.1 实验药品仪器 | 第23-24页 |
| 3.2 脉冲磁控溅射系统 | 第24页 |
| 3.3 薄膜基片的清洗 | 第24-25页 |
| 3.4 ITO/FTO复合薄膜的制备 | 第25页 |
| 3.5 薄膜性能分析测试方法 | 第25-27页 |
| 3.5.1 X射线衍射仪（XRD）分析 | 第25-26页 |
| 3.5.2 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第26页 |
| 3.5.3 数字式四探针分析 | 第26页 |
| 3.5.4 UV-Vis分光光度计分析 | 第26-27页 |
| 第四章 FTO基底上ITO薄膜的制备及性能研究 | 第27-37页 |
| 4.1 引言 | 第27页 |
| 4.2 薄膜晶体结构和形貌分析 | 第27-29页 |
| 4.2.1 溅射温度对薄膜晶体结构的影响 | 第27-28页 |
| 4.2.2 溅射时间对薄膜晶体结构的影响 | 第28-29页 |
| 4.3 薄膜晶体表面形貌分析 | 第29-31页 |
| 4.3.1 溅射温度对薄膜晶体表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 4.3.2 溅射时间对薄膜晶体表面形貌的影响 | 第30-31页 |
| 4.4 薄膜电性能分析 | 第31-32页 |
| 4.4.1 溅射温度对薄膜方阻的影响 | 第31-32页 |
| 4.4.2 溅射时间对薄膜方阻的影响 | 第32页 |
| 4.5 薄膜光学性能分析 | 第32-34页 |
| 4.5.1 溅射温度对薄膜透过率的影响 | 第32-33页 |
| 4.5.2 溅射时间对薄膜透过率的影响 | 第33-34页 |
| 4.6 薄膜耐热性能分析 | 第34-35页 |
| 4.7 应用于DSSC电池结果分析 | 第35-37页 |
| 第五章 空气、氮气气氛下对ITO/FTO薄膜热处理研究 | 第37-49页 |
| 5.1 引言 | 第37页 |
| 5.2 热处理温度对薄膜晶体结构影响分析 | 第37-39页 |
| 5.3 热处理温度对薄膜晶体形貌影响分析 | 第39-40页 |
| 5.4 热处理温度对薄膜光学性能影响分析 | 第40-41页 |
| 5.5 热处理温度对薄膜电性能影响分析 | 第41-42页 |
| 5.6 空气、氮气气氛下热处理对薄膜性能影响对比分析 | 第42-48页 |
| 5.6.1 不同气氛下晶体结构分析 | 第42-44页 |
| 5.6.2 不同气氛下薄膜光学性能对比分析 | 第44-45页 |
| 5.6.3 不同气氛下薄膜电学性能对比分析 | 第45-47页 |
| 5.6.4 不同气氛下薄膜品质因数对比分析 | 第47-48页 |
| 5.7 热处理后应用于DSSC电池结果分析 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录 作者攻读硕士期间发表的论文及成果 | 第55页 |