| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 钒氧化物的晶体结构和性质 | 第9-13页 |
| 1.3 VO_2的金属-半导体相变 | 第13-16页 |
| 1.3.1 VO_2薄膜的相变特性 | 第13-14页 |
| 1.3.2 VO_2薄膜的相变机理 | 第14-15页 |
| 1.3.3 掺杂对相变的影响 | 第15-16页 |
| 1.4 VO_2薄膜材料的应用 | 第16-18页 |
| 1.5 VO_2薄膜材料的溶胶-凝胶制备方法 | 第18-21页 |
| 1.5.1 VO_2多孔薄膜 | 第18页 |
| 1.5.2 薄膜的溶胶-凝胶制备方法 | 第18-21页 |
| 1.6 国内外VO_2多孔膜的研究进展 | 第21-24页 |
| 1.6.1 聚合物辅助沉积法 | 第21-22页 |
| 1.6.2 模板法 | 第22-23页 |
| 1.6.3 冷冻干燥法 | 第23-24页 |
| 1.7 本论文研究内容与意义 | 第24-27页 |
| 1.7.1 研究意义 | 第24-25页 |
| 1.7.2 主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 VO_2薄膜的制备与表征 | 第27-40页 |
| 2.1 实验方法 | 第27-30页 |
| 2.1.1 实验药品与仪器 | 第27-28页 |
| 2.1.2 样品测试方法 | 第28-30页 |
| 2.2 前驱体溶胶的制备与表征 | 第30-32页 |
| 2.3 多孔VO_2薄膜的制备与性能表征 | 第32-37页 |
| 2.3.1 凝胶制膜过程 | 第32-33页 |
| 2.3.2 光学透过性能表征 | 第33-34页 |
| 2.3.3 物相表征 | 第34-37页 |
| 2.3.4 微观形貌 | 第37页 |
| 2.4 钨掺杂VO_2薄膜的制备与表征 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 VO_2薄膜形成机理与影响因素 | 第40-54页 |
| 3.1 前驱体溶胶的成膜机制 | 第40-41页 |
| 3.2 热处理工艺的影响 | 第41-46页 |
| 3.2.1 热处理工艺对VO_2薄膜热致变色性能的影响 | 第41-45页 |
| 3.2.2 不同退火温度对VO_2薄膜结晶状况的影响 | 第45-46页 |
| 3.3 多孔结构形成机理 | 第46-53页 |
| 3.3.1 多孔形成原因探究 | 第46-48页 |
| 3.3.2 各种还原性气氛对薄膜退火的影响 | 第48-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 结论及展望 | 第54-57页 |
| 4.1 结论 | 第54-55页 |
| 4.2 展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |