| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-29页 |
| 2.1 半导体光催化技术 | 第13-20页 |
| 2.1.1 半导体光催化的研究进展 | 第13-14页 |
| 2.1.2 半导体光催化的基本原理 | 第14-15页 |
| 2.1.3 提高半导体光催化剂性能的途径 | 第15-20页 |
| 2.2 尖晶石型Zn_2SnO_4半导体的简介 | 第20-26页 |
| 2.2.1 Zn_2SnO_4半导体的结构 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Zn_2SnO_4粉体的主要合成方法 | 第22-24页 |
| 2.2.3 Zn_2SnO_4半导体的应用 | 第24-25页 |
| 2.2.4 Zn_2SnO_4在光催化领域的研究现状 | 第25-26页 |
| 2.3 本文的研究内容和创新之处 | 第26-29页 |
| 第三章 Zn_2SnO_4基光催化剂的制备、表征与光催化性能测试 | 第29-35页 |
| 3.1 实验试剂和仪器 | 第29-30页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第29页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 3.2 多面体Zn_2SnO_4粉体的制备、表征与光催化性能测试 | 第30-32页 |
| 3.2.1 多面体Zn_2SnO_4粉体的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.2 多面体Zn_2SnO_4粉体的表征 | 第31页 |
| 3.2.3 多面体Zn_2SnO_4的光催化性能测试 | 第31-32页 |
| 3.3 Co~(2+)掺杂Zn_2SnO_4粉体的制备、表征与光催化性能测试 | 第32-33页 |
| 3.3.1 Co~(2+)掺杂Zn_2SnO_4粉体的制备 | 第32页 |
| 3.3.2 Co~(2+)掺杂Zn_2SnO_4粉体的表征 | 第32-33页 |
| 3.3.3 Co~(2+)掺杂Zn_2SnO_4粉体的光催化性能测试 | 第33页 |
| 3.4 Bi_2WO_6/Zn_2SnO_4复合粉体的制备、表征与光催化性能测试 | 第33-35页 |
| 3.4.1 Bi_2WO_6/Zn_2SnO_4复合粉体的制备 | 第33-34页 |
| 3.4.2 Bi_2WO_6/Zn_2SnO_4复合粉体的表征 | 第34页 |
| 3.4.3 Bi_2WO_6/Zn_2SnO_4复合粉体的光催化性能测试 | 第34-35页 |
| 第四章 测试结果与讨论 | 第35-60页 |
| 4.1 多面体Zn_2SnO_4粉体及其光催化性能的测试结果与分析 | 第35-43页 |
| 4.1.1 XRD分析 | 第35-36页 |
| 4.1.2 FTIR分析 | 第36-37页 |
| 4.1.3 SEM分析 | 第37-39页 |
| 4.1.4 UV-Vis分析 | 第39-40页 |
| 4.1.5 FL分析 | 第40-41页 |
| 4.1.6 光催化性能分析 | 第41-43页 |
| 4.2 Co~(2+)掺杂Zn_2SnO_4粉体及其光催化性能的测试结果与分析 | 第43-54页 |
| 4.2.1 XRD分析 | 第43-45页 |
| 4.2.2 XPS分析 | 第45-47页 |
| 4.2.3 SEM分析和TEM分析 | 第47-49页 |
| 4.2.4 UV-Vis分析 | 第49页 |
| 4.2.5 PL分析 | 第49-50页 |
| 4.2.6 光催化性能分析 | 第50-52页 |
| 4.2.7 Co~(2+)掺杂Zn_2SnO_4粉体光催化性能增强的机理讨论 | 第52-54页 |
| 4.3 Bi_2WO_6/Zn_2SnO_4复合粉体及其光催化性能的测试结果与分析 | 第54-60页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第54-55页 |
| 4.3.2 SEM分析 | 第55-56页 |
| 4.3.3 UV-Vis分析 | 第56-57页 |
| 4.3.4 光催化性能分析 | 第57-58页 |
| 4.3.5 Bi_2WO_6/Zn_2SnO_4复合粉体光催化性能增强的机理讨论 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69页 |
