摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第15-32页 |
1.1 引言 | 第15-16页 |
1.2 石墨烯 | 第16-22页 |
1.2.1 石墨烯简述 | 第16-19页 |
1.2.2 石墨烯纳米带 | 第19-20页 |
1.2.3 石墨烯制备方法 | 第20-22页 |
1.3 类石墨烯二维材料 | 第22-28页 |
1.3.1 石墨相碳氮化合物 | 第23-24页 |
1.3.2 六方氮化硼 | 第24-25页 |
1.3.3 二硫化钼 | 第25-26页 |
1.3.4 磷烯 | 第26-28页 |
1.4 复合异质结 | 第28-29页 |
1.5 本文研究内容和意义 | 第29-32页 |
第2章 第一性原理计算方法和软件概述 | 第32-44页 |
2.1 多粒子体系第一性原理 | 第32-35页 |
2.1.1 绝热近似 | 第33页 |
2.1.2 Hartree-Fork近似 | 第33-35页 |
2.2 密度泛函理论 | 第35-38页 |
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
2.3 常用的交换关联泛函 | 第38-40页 |
2.3.1 局域密度近似 | 第39页 |
2.3.2 广义梯度近似 | 第39-40页 |
2.3.3 杂化密度泛函理论 | 第40页 |
2.4 计算软件介绍 | 第40-44页 |
2.4.1 赝势 | 第41页 |
2.4.2 VASP软件包 | 第41-42页 |
2.4.3 接口程序和软件开发 | 第42-44页 |
第3章 反式聚乙炔分子链调控锯齿形石墨烯纳米带的电磁特性 | 第44-52页 |
3.1 引言 | 第44-45页 |
3.2 计算模型与方法 | 第45-46页 |
3.3 结果分析与讨论 | 第46-51页 |
3.3.1 C_nH_(n+1)-ZGNRs系统的磁性奇偶性 | 第46-47页 |
3.3.2 C_nH_(n+1)-ZGNRs系统的能带奇偶性 | 第47-48页 |
3.3.3 电磁奇偶性的机理研究 | 第48-51页 |
3.3.4 纳米带带隙大小随其宽度的变化关系 | 第51页 |
3.4 本章小结 | 第51-52页 |
第4章 C_(60)/g-C_3N_4复合异质结光催化活性增强机理研究 | 第52-68页 |
4.1 引言 | 第52-53页 |
4.2 计算方法 | 第53-54页 |
4.3 结果分析与讨论 | 第54-66页 |
4.3.1 单独的g-C_3N_4单层和C_(60)分子的电子结构 | 第54-55页 |
4.3.2 C_(60)/g-C_3N_4复合异质结的电子结构 | 第55-60页 |
4.3.3 N_2原子对界面的作用 | 第60-64页 |
4.3.4 C_(60)/g-C_3N_4异质结光催化性能 | 第64-66页 |
4.3.5 C_(60)/g-C_3N_4异质结平面夹角变化对其光催化性能的影响 | 第66页 |
4.4 本章小结 | 第66-68页 |
第5 hBN/MoS_2范德华异质结中电场可调的带隙 | 第68-82页 |
5.1 引言 | 第68-69页 |
5.2 计算方法 | 第69-70页 |
5.3 结果分析与讨论 | 第70-81页 |
5.3.1 n-hBN/MoS_2异质结的结构及其稳定性 | 第70-73页 |
5.3.2 n-hBN/MoS_2异质结的能带随电场的变化关系 | 第73-76页 |
5.3.3 能带随电场变化规律总结及其物理机制 | 第76-79页 |
5.3.4 n-hBN/MoS_2异质结界面特性随电场的变化关系 | 第79-80页 |
5.3.5 可调带隙的机制探讨 | 第80-81页 |
5.4 本章小结 | 第81-82页 |
第6章 二维SiC/MoS_2第二类异质结:一种新型的潜在光催化剂 | 第82-91页 |
6.1 引言 | 第82-83页 |
6.2 计算方法 | 第83页 |
6.3 结果分析与讨论 | 第83-90页 |
6.3.1 MoS_2与SiC单层复合可行性分析 | 第83-85页 |
6.3.2 MoS_2、SiC单层及其复合异质结的电子性质 | 第85-87页 |
6.3.3 SiC/MoS_2复合异质结的光催化性能及其机理 | 第87-89页 |
6.3.4 SiC/BL-MoS_2异质结的光催化性能及其机理 | 第89-90页 |
6.4 本章小结 | 第90-91页 |
结论与展望 | 第91-94页 |
参考文献 | 第94-116页 |
附录A 攻读学位期间发表的论文 | 第116-117页 |
附录B 攻读学位期间参加的科研项目 | 第117-118页 |
致谢 | 第118页 |