| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 Poly-Si TFT电学特性与参数提取 | 第18-34页 |
| 2.1 poly-Si TFT结构 | 第18-19页 |
| 2.2 poly-Si TFT直流特性 | 第19-21页 |
| 2.3 poly-Si TFT电学参数 | 第21-23页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第21页 |
| 2.3.2 场效应迁移率 | 第21-22页 |
| 2.3.3 亚阈值摆幅 | 第22-23页 |
| 2.3.4 开关电流比 | 第23页 |
| 2.4 漏源串联电阻提取 | 第23-24页 |
| 2.5 迁移率提取 | 第24-33页 |
| 2.5.1 提取方法 | 第25-33页 |
| 2.5.1.1 Hoffman方法 | 第25-26页 |
| 2.5.1.2 线性跨导法 | 第26-27页 |
| 2.5.1.3 多频电容电压法 | 第27-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 Poly-Si TFT的低频噪声分析 | 第34-54页 |
| 3.1 半导体器件噪声 | 第34页 |
| 3.2 1/f噪声 | 第34-35页 |
| 3.3 1/f噪声产生响机制 | 第35-37页 |
| 3.3.1 载流子数波动模型（ΔN model） | 第35-36页 |
| 3.3.2 迁移率波动模型（Δμ model） | 第36-37页 |
| 3.3.3 载流子数-迁移率波动模型（ΔN-Δμ model） | 第37页 |
| 3.4 poly-Si TFT的 1/f噪声 | 第37-44页 |
| 3.4.1 噪声测试系统 | 第37-39页 |
| 3.4.2 1/f噪声分析 | 第39-44页 |
| 3.5 噪声电路仿真模型与参数提取 | 第44-52页 |
| 3.5.1 电路仿真模型 | 第44-46页 |
| 3.5.2 模型参数提取 | 第46-47页 |
| 3.5.3 噪声影响机制分析 | 第47-50页 |
| 3.5.4 BSIM模型验证 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 Poly-Si TFT的栅偏压应力效应分析 | 第54-61页 |
| 4.1 测试方法 | 第54页 |
| 4.2 负栅偏压应力对poly-Si TFT的影响 | 第54-57页 |
| 4.3 正栅偏压应力对poly-Si TFT的影响 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 Poly-Si TFT的ESD特性 | 第61-76页 |
| 5.1 ESD模型与测试系统 | 第61-63页 |
| 5.1.1 ESD放电模型 | 第61-63页 |
| 5.1.1.1 机器放电模型（MM） | 第61-62页 |
| 5.1.1.2 组件充电模型（CDM） | 第62页 |
| 5.1.1.3 电场诱导模型（FIM） | 第62-63页 |
| 5.1.1.4 人体模型（HBM） | 第63页 |
| 5.2 ESD测试机理 | 第63-66页 |
| 5.3 poly-Si TFT的ESD特性 | 第66-69页 |
| 5.4 ESD效应仿真 | 第69-71页 |
| 5.5 ESD退化分析 | 第71-75页 |
| 5.6 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 Poly-Si TFT的辐照效应 | 第76-83页 |
| 6.1 辐照测试条件 | 第76页 |
| 6.2 辐照强度对poly-Si TFT电学性能的影响 | 第76-82页 |
| 6.3 本章小结 | 第82-83页 |
| 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-93页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 附件 | 第96页 |
