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介质阻挡放电等离子体表面修饰碳基催化剂脱除羰基硫和二硫化碳研究

摘要第6-9页
ABSTRACT第9-12页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 研究背景及意义第16-17页
    1.2 研究内容第17-20页
        1.2.1 低温等离子体反应器的设计第17页
        1.2.2 低温等离子体修饰催化剂脱除COS研究第17-18页
        1.2.3 低温等离子体修饰催化剂脱除CS_2研究第18页
        1.2.4 低温等离子修饰催化剂同时脱除COS和CS_2研究第18-20页
第二章 文献综述第20-30页
    2.1 低温等离子体简介第20-21页
    2.2 低温等离子体的发生及其对碳基材料表面修饰可行性及优点分析第21-22页
    2.3 低温等离子体对碳基材料的具体作用第22-30页
        2.3.1 碳基材料表面引入活性基团或官能团第22-24页
        2.3.2 DBD低温等离子体修饰对碳基材料界面结合能的影响第24-25页
        2.3.3 低温等离子体修饰对碳材料吸附性能的影响第25-27页
        2.3.4 低温等离子体修饰对碳基材料物理结构的影响第27-28页
        2.3.5 低温等离子体修饰对碳基材料表面负载组分分散度的影响第28页
        2.3.6 DBD低温等离子体修饰碳基材料技术中存在的问题第28-30页
第三章 试验方法与装置第30-40页
    3.1 试验系统、试剂及仪器第30-31页
        3.1.1 试验系统第30页
        3.1.2 试验药品及仪器第30-31页
    3.2 试验研究技术路线图第31页
    3.3 催化剂活性评价试验体系第31-32页
    3.4 催化剂制备第32-36页
        3.4.1 催化剂前期制备第32-33页
        3.4.2 NTP反应器及催化剂表面修饰第33-36页
    3.5 催化剂硫容评价指标第36-37页
    3.6 催化剂表征第37-40页
        3.6.1 SEM第37页
        3.6.2 BET第37页
        3.6.3 XPS第37页
        3.6.4 In-situ FTIR第37-38页
        3.6.5 CO-TPD第38页
        3.6.6 量化理论计算第38-40页
第四章 低温等离子体修饰催化剂脱除COS研究第40-58页
    4.1 NTP修饰对催化剂脱除COS的影响第40-42页
    4.2 不同反应器修饰对催化剂脱除COS的影响第42-43页
    4.3 不同输入电压修饰对催化剂脱除COS的影响第43-48页
    4.4 不同修饰时间修饰对催化剂脱除COS的影响第48-52页
    4.5 Gaussian模拟计算分析第52-56页
    4.6 本章小结第56-58页
第五章 低温等离子体修饰催化剂脱除CS_2研究第58-76页
    5.1 催化剂修饰前后对脱除CS_2的影响第58-59页
    5.2 不同反应器修饰对催化剂脱除CS_2的影响第59-60页
    5.3 不同气氛修饰对催化剂脱除CS_2的影响第60-64页
    5.4 不同修饰时间修饰对催化剂脱除CS_2的影响第64-66页
    5.5 不同输入电压修饰对催化剂脱除CS_2的影响第66-68页
    5.6 不同放电间隙修饰对催化剂脱除CS_2的影响第68-69页
    5.7 Gaussian模拟计算分析第69-73页
    5.8 本章小结第73-76页
第六章 低温等离子体修饰催化剂同时脱除COS和CS_2研究第76-90页
    6.1 不同气氛修饰同时脱除COS和CS_2研究第76-81页
    6.2 NTP修饰对催化剂表面基团的影响第81-86页
    6.3 低温等离子体修饰过程推测第86-88页
    6.4 本章小结第88-90页
第七章 结论与建议第90-94页
    7.1 结论第90-91页
    7.2 创新点第91页
    7.3 建议第91-94页
致谢第94-96页
参考文献第96-106页
附录A 硕士期间发表及在投学术论文第106-108页
附录B 硕士期间授权及公开专利第108-110页
附录C 硕士期间获奖情况第110-112页
附录D 硕士期间参与研究的课题情况第112页

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