摘要 | 第6-9页 |
ABSTRACT | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第16-20页 |
1.1 研究背景及意义 | 第16-17页 |
1.2 研究内容 | 第17-20页 |
1.2.1 低温等离子体反应器的设计 | 第17页 |
1.2.2 低温等离子体修饰催化剂脱除COS研究 | 第17-18页 |
1.2.3 低温等离子体修饰催化剂脱除CS_2研究 | 第18页 |
1.2.4 低温等离子修饰催化剂同时脱除COS和CS_2研究 | 第18-20页 |
第二章 文献综述 | 第20-30页 |
2.1 低温等离子体简介 | 第20-21页 |
2.2 低温等离子体的发生及其对碳基材料表面修饰可行性及优点分析 | 第21-22页 |
2.3 低温等离子体对碳基材料的具体作用 | 第22-30页 |
2.3.1 碳基材料表面引入活性基团或官能团 | 第22-24页 |
2.3.2 DBD低温等离子体修饰对碳基材料界面结合能的影响 | 第24-25页 |
2.3.3 低温等离子体修饰对碳材料吸附性能的影响 | 第25-27页 |
2.3.4 低温等离子体修饰对碳基材料物理结构的影响 | 第27-28页 |
2.3.5 低温等离子体修饰对碳基材料表面负载组分分散度的影响 | 第28页 |
2.3.6 DBD低温等离子体修饰碳基材料技术中存在的问题 | 第28-30页 |
第三章 试验方法与装置 | 第30-40页 |
3.1 试验系统、试剂及仪器 | 第30-31页 |
3.1.1 试验系统 | 第30页 |
3.1.2 试验药品及仪器 | 第30-31页 |
3.2 试验研究技术路线图 | 第31页 |
3.3 催化剂活性评价试验体系 | 第31-32页 |
3.4 催化剂制备 | 第32-36页 |
3.4.1 催化剂前期制备 | 第32-33页 |
3.4.2 NTP反应器及催化剂表面修饰 | 第33-36页 |
3.5 催化剂硫容评价指标 | 第36-37页 |
3.6 催化剂表征 | 第37-40页 |
3.6.1 SEM | 第37页 |
3.6.2 BET | 第37页 |
3.6.3 XPS | 第37页 |
3.6.4 In-situ FTIR | 第37-38页 |
3.6.5 CO-TPD | 第38页 |
3.6.6 量化理论计算 | 第38-40页 |
第四章 低温等离子体修饰催化剂脱除COS研究 | 第40-58页 |
4.1 NTP修饰对催化剂脱除COS的影响 | 第40-42页 |
4.2 不同反应器修饰对催化剂脱除COS的影响 | 第42-43页 |
4.3 不同输入电压修饰对催化剂脱除COS的影响 | 第43-48页 |
4.4 不同修饰时间修饰对催化剂脱除COS的影响 | 第48-52页 |
4.5 Gaussian模拟计算分析 | 第52-56页 |
4.6 本章小结 | 第56-58页 |
第五章 低温等离子体修饰催化剂脱除CS_2研究 | 第58-76页 |
5.1 催化剂修饰前后对脱除CS_2的影响 | 第58-59页 |
5.2 不同反应器修饰对催化剂脱除CS_2的影响 | 第59-60页 |
5.3 不同气氛修饰对催化剂脱除CS_2的影响 | 第60-64页 |
5.4 不同修饰时间修饰对催化剂脱除CS_2的影响 | 第64-66页 |
5.5 不同输入电压修饰对催化剂脱除CS_2的影响 | 第66-68页 |
5.6 不同放电间隙修饰对催化剂脱除CS_2的影响 | 第68-69页 |
5.7 Gaussian模拟计算分析 | 第69-73页 |
5.8 本章小结 | 第73-76页 |
第六章 低温等离子体修饰催化剂同时脱除COS和CS_2研究 | 第76-90页 |
6.1 不同气氛修饰同时脱除COS和CS_2研究 | 第76-81页 |
6.2 NTP修饰对催化剂表面基团的影响 | 第81-86页 |
6.3 低温等离子体修饰过程推测 | 第86-88页 |
6.4 本章小结 | 第88-90页 |
第七章 结论与建议 | 第90-94页 |
7.1 结论 | 第90-91页 |
7.2 创新点 | 第91页 |
7.3 建议 | 第91-94页 |
致谢 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-106页 |
附录A 硕士期间发表及在投学术论文 | 第106-108页 |
附录B 硕士期间授权及公开专利 | 第108-110页 |
附录C 硕士期间获奖情况 | 第110-112页 |
附录D 硕士期间参与研究的课题情况 | 第112页 |