| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 英文缩略词 | 第9-11页 |
| 1 位点选择性的C-H活化 | 第11-37页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 导向基控制的位点选择性 | 第11-26页 |
| 1.2.1 芳环结构的位点选择性 | 第12-19页 |
| 1.2.2 烯烃结构的位点选择性 | 第19页 |
| 1.2.3 烷烃结构的位点选择性 | 第19-24页 |
| 1.2.4 同一体系位点选择性 | 第24-25页 |
| 1.2.5 临时导向基 | 第25-26页 |
| 1.3 催化剂和配体控制的位点选择性 | 第26-30页 |
| 1.3.1 Catellani反应 | 第26-27页 |
| 1.3.2 过渡金属催化剂引起的位点选择性 | 第27-29页 |
| 1.3.3 配体引起的位点选择性 | 第29-30页 |
| 1.4 底物自身的性质控制的位点选择性 | 第30页 |
| 1.5 其他方法控制的位点选择性 | 第30-33页 |
| 1.5.1 氢键引起的位点选择性 | 第30-31页 |
| 1.5.2 离子对引起的位点选择性 | 第31-32页 |
| 1.5.3 碱性质不同引起的位点选择性 | 第32-33页 |
| 1.6 位点选择性的C-H活化应用于全合成实例 | 第33-37页 |
| 2 环烯底物上多位点选择性的C-H氧乙酰氧化反应 | 第37-115页 |
| 2.1 引言 | 第37-44页 |
| 2.1.1 烯基位的C(sp~2)-H键氧化 | 第37页 |
| 2.1.2 烯丙位C(sp~3)-H氧化混合物到位点选择性 | 第37-38页 |
| 2.1.3 直链烯烃底物烯丙位C(sp~3)-H氧化的位点选择性 | 第38-40页 |
| 2.1.4 环状烯烃底物位点选择性的烯丙位C(sp~3)-H氧化反应 | 第40-43页 |
| 2.1.5 Kharasch-Sosnovsky烯丙基氧化反应 | 第43-44页 |
| 2.2 课题立题依据及研究内容 | 第44-46页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第46-64页 |
| 2.3.1 反应条件的发现 | 第46-47页 |
| 2.3.2 烯基位氧化反应条件的优化和底物拓展 | 第47-53页 |
| 2.3.3 烯丙位氧化反应条件的优化和底物拓展I | 第53-59页 |
| 2.3.4 烯丙位氧化反应条件的优化和底物拓展II | 第59-64页 |
| 2.4 反应机理研究 | 第64页 |
| 2.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 2.6 实验部分 | 第65-115页 |
| 2.6.1 实验试剂和仪器 | 第65页 |
| 2.6.2 原料合成操作及分析数据 | 第65-87页 |
| 2.6.3 烯基位氧化底物合成操作及分析数据 | 第87-93页 |
| 2.6.4 烯丙位氧化底物合成操作及分析数据I | 第93-98页 |
| 2.6.5 烯丙位氧化底物合成操作及分析数据II | 第98-103页 |
| 2.6.6 反应机理研究 | 第103-110页 |
| 2.6.7 产物的X射线单晶衍射分析 | 第110-115页 |
| 3 通过钯催化分子内氧化芳基化合成二氢喹啉螺环和八氢菲的衍生物 | 第115-165页 |
| 3.1 引言 | 第115-120页 |
| 3.1.1 芳基卤代物(类卤化物)与烯烃之间反应 | 第116-118页 |
| 3.1.2 芳基C(sp~2)-H与烯烃之间反应 | 第118-120页 |
| 3.2 课题立题依据及研究内容 | 第120-123页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第123-133页 |
| 3.3.1 反应条件的发现 | 第123-126页 |
| 3.3.2 C-H芳基化反应的优化和底物拓展 | 第126-129页 |
| 3.3.3 C-H串联反应条件的优化和底物拓展 | 第129-130页 |
| 3.3.4 反应机理研究 | 第130-133页 |
| 3.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 3.5 尝试实现不对称催化反应 | 第134-136页 |
| 3.6 实验部分 | 第136-165页 |
| 3.6.1 原料合成操作及分析数据 | 第136-143页 |
| 3.6.2 C-H芳基化反应合成操作及分析数据 | 第143-149页 |
| 3.6.3 C-H串联反应合成操作及分析数据 | 第149-151页 |
| 3.6.4 氘代实验与机理研究 | 第151-160页 |
| 3.6.5 产物的X射线单晶衍射分析 | 第160-165页 |
| 4 钯催化惰性烯烃C-H官能团化反应合成吲哚类衍生物 | 第165-185页 |
| 4.1 引言 | 第165-171页 |
| 4.1.1 通过交叉脱氢偶联反应制备吲哚化合物 | 第165-167页 |
| 4.1.2 通过C-H键胺基化反应制备吲哚化合物 | 第167-168页 |
| 4.1.3 通过C-H键与炔烃脱氢偶联反应制备吲哚化合物 | 第168-169页 |
| 4.1.4 通过炔烃与芳基肼类衍生物的环化反应制备吲哚化合物 | 第169-171页 |
| 4.2 课题立题依据及研究内容 | 第171页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第171-177页 |
| 4.3.1 反应条件的发现 | 第171-173页 |
| 4.3.2 C-H官能化反应条件的优化和底物拓展I | 第173-175页 |
| 4.3.3 C-H官能化反应条件的优化和底物拓展II | 第175-177页 |
| 4.4 本章小结 | 第177-178页 |
| 4.5 实验部分 | 第178-185页 |
| 4.5.1 原料合成操作及分析数据 | 第178-181页 |
| 4.5.2 产物合成操作及分析数据 | 第181-185页 |
| 5 总结与展望 | 第185-187页 |
| 致谢 | 第187-189页 |
| 参考文献 | 第189-207页 |
| 附录 | 第207-275页 |
| A. 作者简介 | 第207页 |
| B. 作者在攻读学位期间发表的文章 | 第207-208页 |
| C. 部分重要化合物谱图 | 第208-275页 |
