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AP-PECVD实验制备硅氧烷绝缘薄膜抑制微放电的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-16页
    1.1 研究背景与意义第8-9页
        1.1.1 电缆中的微放电现象第8-9页
        1.1.2 GIL/GIS中的微放电现象第9页
    1.2 大气压放电等离子体材料表面改性方法第9-13页
        1.2.1 大气压放电等离子体概述第9-11页
        1.2.2 大气压放电等离子体材料表面改性研究进展第11-13页
    1.3 中科院电工所研究工作第13-15页
    1.4 本文主要研究内容第15-16页
2 实验装置与测量系统第16-25页
    2.1 基于大气压弥散放电的AP-PECVD实验装置第16-17页
    2.2 基于大气压介质阻挡放电的AP-PECVD实验装置第17-18页
    2.3 起举电压测量实验装置第18-19页
    2.4 理化特性分析方法第19-24页
        2.4.1 化学组成分析第19-21页
        2.4.2 表面形貌观察及介电特性测量第21-24页
    2.5 本章小结第24-25页
3 基于大气压弥散放电的AP-PECVD实验第25-37页
    3.1 大气压弥散放电特性研究第25-28页
    3.2 AP-PECVD实验放电特性研究第28-32页
        3.2.1 放电气体对电气特性的影响第28-30页
        3.2.2 放电气体对光学特性的影响第30-32页
    3.3 薄膜化学组成分析第32-36页
    3.4 本章小结第36-37页
4 基于大气压介质阻挡放电的AP-PECVD实验第37-50页
    4.1 大气压介质阻挡放电特性研究第37-40页
    4.2 AP-PECVD实验放电特性研究第40-42页
    4.3 薄膜化学组成分析第42-46页
        4.3.1 FTIR测试第42-43页
        4.3.2 XPS测试第43-46页
    4.4 绝缘薄膜稳定性测试第46-49页
    4.5 本章小结第49-50页
5 硅氧烷绝缘薄膜对微放电的抑制作用研究第50-66页
    5.1 介电特性测试第50-53页
        5.1.1 薄膜的厚度第50-52页
        5.1.2 薄膜的相对介电常数与体积电阻率第52-53页
    5.2 薄膜对导体表面畸变电场的改善作用第53-55页
    5.3 薄膜对金属微粒起举运动的抑制作用第55-65页
        5.3.1 裸露电极中金属微粒的起举电压第55-64页
        5.3.2 薄膜对金属微粒起举电压的影响第64-65页
    5.4 本章小结第65-66页
6 实验总结与展望第66-68页
    6.1 主要工作总结第66-67页
    6.2 未来工作展望第67-68页
参考文献第68-73页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第73-74页
致谢第74-75页

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