| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体发光二极管的发展史 | 第11-12页 |
| 1.3 本课题研究意义及内容 | 第12-15页 |
| 1.4 LED 存在的主要问题 | 第15-17页 |
| 1.5 提高 AlGaInP 四元 LED 的出光效率 | 第17-20页 |
| 1.5.1 LED 常见效率分类 | 第17-18页 |
| 1.5.2 提高 LED 外量子效率的几种芯片技术 | 第18-20页 |
| 第二章 高亮度 AlGaInP LED 的原理及使用设备 | 第20-36页 |
| 2.1 半导体发光二极管的发光原理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 半导体中的载流子复合 | 第20-22页 |
| 2.1.2 LED 的发光原理 | 第22页 |
| 2.2 发光二极管的结构 | 第22-24页 |
| 2.2.1 双异质结发光二极管 | 第22-23页 |
| 2.2.2 多量子阱发光二极管 | 第23-24页 |
| 2.2.3 AlGaInP LED 的典型外延层结构 | 第24页 |
| 2.3 LED 芯片制造工艺简介 | 第24-36页 |
| 2.3.1 LED 材料生长和测试设备介绍 | 第25页 |
| 2.3.2 MOCVD 生长系统 | 第25-29页 |
| 2.3.3 外延片主要检测设备 | 第29-36页 |
| 第三章 DBR 对不同波长 AlGaInP LED 芯片发光强度的影响 | 第36-44页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 DBR 的结构设计 | 第36-37页 |
| 3.3 实验部分 | 第37-38页 |
| 3.4 结果与分析 | 第38-42页 |
| 3.4.1 HRXRD 结构分析 | 第38-39页 |
| 3.4.2 芯片发光强度测试结果 | 第39-40页 |
| 3.4.3 红光和黄绿光 LED 芯片发光强度的差异性分析 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 MQW 对内量子效率的影响 | 第44-64页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 垒厚度变化对内量子效率的影响 | 第44-51页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第44-45页 |
| 4.2.2 PL 测试结果与分析 | 第45-50页 |
| 4.2.3 XRD 测试结果与分析 | 第50-51页 |
| 4.3 MQW 中垒的不同 Al 组分对内量子效率的影响 | 第51-55页 |
| 4.3.1 实验设计 | 第51页 |
| 4.3.2 PL 测试结果 | 第51-54页 |
| 4.3.3 XRD 测试结果与分析 | 第54-55页 |
| 4.4 MQW 中Ⅴ/Ⅲ比对出光效率的影响 | 第55-61页 |
| 4.4.1 实验设计 | 第55-56页 |
| 4.4.2 PL 测试结果与分析 | 第56-60页 |
| 4.4.3 XRD 测试结果与分析 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 出光层 GaP 的研究 | 第64-76页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 GaP 材料掺杂特性的研究 | 第64-65页 |
| 5.3 Cp_2Mg 的流量对 Mg 掺杂的影响 | 第65-67页 |
| 5.3.1 实验设计 | 第65页 |
| 5.3.2 XRD 测试结果及分析 | 第65-66页 |
| 5.3.3 ECV 测试结果及分析 | 第66-67页 |
| 5.4 温度对 Mg 掺杂的影响 | 第67-70页 |
| 5.4.1 实验设计 | 第67页 |
| 5.4.2 XRD 测试结果及分析 | 第67-68页 |
| 5.4.3 ECV 测试结果及分析 | 第68-70页 |
| 5.5 Ⅴ/Ⅲ比对 Mg 掺杂的影响 | 第70-72页 |
| 5.5.1 实验设计 | 第70页 |
| 5.5.2 XRD 测试结果及分析 | 第70-71页 |
| 5.5.3 ECV 测试结果及分析 | 第71-72页 |
| 5.6 GaP 升温层厚度对表面的影响 | 第72-75页 |
| 5.6.1 实验设计 | 第72-73页 |
| 5.6.2 XRD 测试结果及分析 | 第73页 |
| 5.6.3 ECV 测试结果及分析 | 第73-75页 |
| 5.7 本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第84页 |
