| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 前言 | 第8-18页 |
| 1.1 介电材料及其应用 | 第8-9页 |
| 1.1.1 动态随机存储器(DRAM)用材料研究背景 | 第8页 |
| 1.1.2 微波调谐器件用材料研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 Ba_(1-x)SrxTiO_3材料结构与性能 | 第9-10页 |
| 1.3 Ba_(1-x)SrxTiO_3薄膜材料的研究概况 | 第10-11页 |
| 1.3.1 BST薄膜的掺杂改性 | 第10-11页 |
| 1.3.2 BST薄膜的缓冲层 | 第11页 |
| 1.3.3 BST多层薄膜 | 第11页 |
| 1.4 电极材料的选择 | 第11-13页 |
| 1.4.1 电极材料分类 | 第12页 |
| 1.4.2 LaNiO_3电极材料 | 第12-13页 |
| 1.5 Ba_(1-x)SrxTiO_3薄膜材料的制备方法 | 第13-17页 |
| 1.5.1 脉冲激光沉积技术发展 | 第14页 |
| 1.5.2 脉冲激光沉积技术原理及优势 | 第14-17页 |
| 1.6 研究内容及选题意义 | 第17-18页 |
| 2 实验方案及实验条件 | 第18-24页 |
| 2.1 BST陶瓷靶材的制备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 BST靶材制备主要原料 | 第18-19页 |
| 2.1.2 BST靶材制备所用仪器设备 | 第19-20页 |
| 2.2 复合薄膜的沉积设备 | 第20-21页 |
| 2.3 测试及检测设备 | 第21-24页 |
| 3 BST陶瓷靶材的制备 | 第24-36页 |
| 3.1 BST陶瓷靶材的烧结 | 第24-28页 |
| 3.1.1 BST靶材制备过程 | 第24-25页 |
| 3.1.2 BST靶材的预烧结 | 第25-26页 |
| 3.1.3 BST靶材烧结温度的确定 | 第26-28页 |
| 3.2 Mn掺杂BST靶材的制备 | 第28-34页 |
| 3.2.1 掺杂元素的选择 | 第28页 |
| 3.2.2 Mn掺杂BST靶材的制备过程 | 第28页 |
| 3.2.3 Mn掺杂BST靶材的预烧 | 第28-29页 |
| 3.2.4 Mn掺杂BST靶材的烧结 | 第29-30页 |
| 3.2.5 Mn掺杂BST靶材的致密度 | 第30页 |
| 3.2.6 Mn掺杂BST靶材表面形貌 | 第30-32页 |
| 3.2.7 Mn掺杂BST陶瓷介电性能 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 BST/LNO/Si薄膜工艺参数的确定 | 第36-48页 |
| 4.1 薄膜的沉积过程 | 第36页 |
| 4.2 电极材料的选择及制备 | 第36-38页 |
| 4.3 BST薄膜的工艺参数 | 第38-45页 |
| 4.3.1 沉积气压对BST薄膜的影响 | 第38-40页 |
| 4.3.2 激光能量对BST薄膜的影响 | 第40-43页 |
| 4.3.3 脉冲频率对BST薄膜的影响 | 第43-45页 |
| 4.4 BST/LNO/Si复合薄膜的厚度分析 | 第45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-48页 |
| 5 Mn掺杂BST薄膜的制备 | 第48-54页 |
| 5.1 Mn掺杂BST薄膜的结构 | 第48-49页 |
| 5.2 Mn掺杂BST薄膜的介电性能 | 第49-52页 |
| 5.3 Mn掺杂BST薄膜的表面形貌 | 第52页 |
| 5.4 Mn掺杂BST薄膜的漏电流 | 第52-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 6 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
