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低维拓扑系统中相变和输运性质研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第12-36页
    1.1 量子自旋霍尔效应第12-19页
        1.1.1 KM模型和BHZ模型第12-15页
        1.1.2 拓扑不变量第15-17页
        1.1.3 螺旋性边缘态第17-19页
    1.2 二维拓扑超导体第19-21页
        1.2.1 Class-D拓扑超导体第19-20页
        1.2.2 Class-DⅢ拓扑超导体第20-21页
    1.3 拓扑量子泵浦第21-26页
        1.3.1 Thouless泵浦第21-22页
        1.3.2 Z_2泵浦第22-24页
        1.3.3 自旋陈泵浦第24-26页
    1.4 散射矩阵理论第26-29页
        1.4.1 基本理论第27页
        1.4.2 电流和泵浦流第27-28页
        1.4.3 Kwant软件包第28-29页
    1.5 本论文的研究内容和意义第29-31页
    参考文献第31-36页
第二章 非绝热拓扑自旋泵浦第36-49页
    2.1 研究背景第36-38页
    2.2 Floquet自旋陈数第38-39页
    2.3 含时间反演对称性的自旋泵浦第39-43页
    2.4 时间反演对称性破缺的自旋泵浦第43-45页
    2.5 本章小结第45-46页
    参考文献第46-49页
第三章 二维Class-DⅢ超导体中Zeeman场诱导的拓扑相变第49-61页
    3.1 研究背景第49-50页
    3.2 模型和拓扑相变第50-52页
    3.3 纳米带的BdG能谱和自旋谱第52-56页
    3.4 零偏压电导第56-57页
    3.5 本章小结第57-58页
    参考文献第58-61页
第四章 基于量子自旋霍尔绝缘体的干涉仪里的πBerry相位第61-73页
    4.1 研究背景第61页
    4.2 理论模型与哈密顿第61-64页
    4.3 数值结果与讨论第64-69页
    4.4 本章小结第69-70页
    参考文献第70-73页
第五章 交流量子自旋霍尔效应第73-94页
    5.1 研究背景第73-74页
    5.2 基于Kubo线性响应理论的数值计算第74-81页
        5.2.1 模型和方法第74-76页
        5.2.2 由交流电场驱动的自旋流和自旋积累第76-79页
        5.2.3 无序和标度分析第79-81页
    5.3 解析理论及探测方案第81-88页
        5.3.1 一般性论述第81-83页
        5.3.2 具体的例子第83-86页
        5.3.3 实验探测第86-88页
    5.4 本章小结第88-89页
    5.5 附录A:缠绕数的整数量子化证明第89页
    5.6 附录B:反射系数的推导第89-91页
    参考文献第91-94页
第六章 总结与展望第94-100页
    6.1 本文总结第94-95页
    6.2 未来展望第95-97页
    参考文献第97-100页
博士期间发表论文列表第100-102页
致谢第102-103页

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