| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 金属氧化物半导体氢敏研究概述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 引言 | 第9页 |
| 1.1.2 金属氧化物半导体氢气敏感机理 | 第9-10页 |
| 1.1.3 半导体氢敏材料研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2 WO_3氢敏材料概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 WO_3的晶体结构与性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 WO_3半导体的制备合成方法 | 第13-15页 |
| 1.2.3 WO_3纳米材料的氢敏性能研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 嵌段共聚物模板法概述 | 第16-21页 |
| 1.3.1 嵌段共聚物结构形态变化 | 第16-19页 |
| 1.3.2 嵌段共聚物为模板合成纳米材料 | 第19-21页 |
| 1.3.3 嵌段共聚物其他应用领域 | 第21页 |
| 1.4 本论文工作的主要内容和意义 | 第21-23页 |
| 第2章 实验部分 | 第23-28页 |
| 2.1 实验药品和仪器 | 第23-24页 |
| 2.2 表征方法 | 第24页 |
| 2.2.1 原子力显微镜分析 | 第24页 |
| 2.2.2 X 射线光电子能谱分析 | 第24页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第24页 |
| 2.2.4 气敏性能分析 | 第24页 |
| 2.3 WO_3纳米材料制备方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 嵌段共聚物模板的制备 | 第25-26页 |
| 2.3.2 嵌段共聚物为模板氧化钨纳米材料制备 | 第26页 |
| 2.4 氢敏性能测试方法 | 第26-28页 |
| 2.4.1 WO_3薄膜氢敏器件组装 | 第26-27页 |
| 2.4.2 WO_3薄膜氢敏性能测试 | 第27-28页 |
| 第3章 嵌段共聚物模板制备 WO_3纳米材料结构表征 | 第28-44页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 嵌段共聚物模板结构的调控 | 第28-32页 |
| 3.2.1 PS-b-P4VP 嵌段共聚物纳米点阵模板制备 | 第28-29页 |
| 3.2.2 PS-b-P4VP 嵌段共聚物纳米棒状模板制备 | 第29-32页 |
| 3.2.3 本节结论及其讨论 | 第32页 |
| 3.3 PS-b-P4VP 嵌段共聚物为模板制备 WO_3纳米材料 | 第32-43页 |
| 3.3.1 嵌段共聚物纳米点阵模板制备 WO_3 | 第33-35页 |
| 3.3.2 嵌段共聚物纳米点阵模板制备 WO_3影响因素 | 第35-39页 |
| 3.3.3 嵌段共聚物纳米点阵模板制备 WO_3成分分析 | 第39-40页 |
| 3.3.4 嵌段共聚物纳米棒状模板制备 WO_3 | 第40-41页 |
| 3.3.5 嵌段共聚物纳米棒状模板制备 WO_3影响因素 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小节 | 第43-44页 |
| 第4章 WO_3纳米材料氢敏性能 | 第44-54页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 WO_3纳米材料氢敏性能 | 第45-47页 |
| 4.3 WO_3纳米材料氢敏性能影响因素 | 第47-53页 |
| 4.3.1 衬底对 WO_3纳米颗粒氢敏性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.2 煅烧温度对 WO_3纳米颗粒氢敏性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 WO_3纳米颗粒对不同浓度 H2氢敏性能 | 第51-52页 |
| 4.3.4 纳米结构对 WO_3氢敏性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 WO_3纳米材料氢敏性能机理 | 第54-60页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 WO_3纳米颗粒氢敏性能机理 | 第54-57页 |
| 5.3 不同因素影响 WO_3纳米材料氢敏性能机理 | 第57-59页 |
| 5.3.1 衬底对 WO_3纳米材料氢敏性能影响机理 | 第57-58页 |
| 5.3.2 烧结温度对 WO_3纳米材料氢敏性能影响机理 | 第58-59页 |
| 5.3.3 纳米结构对 WO_3纳米材料氢敏性能影响机理 | 第59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
