| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 注释表 | 第10-12页 |
| 缩略词 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 选题背景 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.1 陶瓷基复合材料拉伸失效研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 氧化环境下陶瓷基复合材料性能研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.3 界面相对陶瓷基复合材料性能影响的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要研究工作 | 第18-20页 |
| 第二章 弱界面粘结的单向C/SiC复合材料失效模拟 | 第20-37页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 单向C/SiC复合材料组分性能分散性 | 第21-22页 |
| 2.2.1 基体强度分布 | 第21页 |
| 2.2.2 纤维强度分布 | 第21-22页 |
| 2.3 界面模型 | 第22-23页 |
| 2.4 单向C/SiC复合材料基体随机开裂模拟 | 第23-32页 |
| 2.4.1 最大应力失效准则 | 第23页 |
| 2.4.2 单向C/SiC复合材料拉伸失效模拟 | 第23-30页 |
| 2.4.3 模拟结果评估 | 第30-32页 |
| 2.5 单向C/SiC复合材料裂纹在基体中的扩展模拟 | 第32-35页 |
| 2.5.1 临界应变能准则 | 第32-33页 |
| 2.5.2 裂纹稳态发展的有限元模拟 | 第33-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 应力氧化环境下弱界面粘结的UD-CMC力学性能分析 | 第37-54页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 UD-CMC基体开裂及裂纹宽度分析 | 第37-40页 |
| 3.2.1 UD-CMC应力作用下基体开裂 | 第37-38页 |
| 3.2.2 裂纹宽度分析 | 第38-40页 |
| 3.3 单向C/SiC复合材料氧化机理分析 | 第40-43页 |
| 3.3.1 氧化反应控制阶段 | 第40页 |
| 3.3.2 氧气扩散控制阶段 | 第40-41页 |
| 3.3.3 单向C/SiC复合材料质量失重率分析 | 第41-43页 |
| 3.4 应力氧化环境下单向C/SiC复合材料力学性能的变化 | 第43-49页 |
| 3.4.1 单向C/SiC复合材料剩余刚度的变化 | 第43-46页 |
| 3.4.2 单向C/SiC复合材料剩余强度的变化 | 第46-48页 |
| 3.4.3 结果验证 | 第48-49页 |
| 3.5 压力影响分析 | 第49-52页 |
| 3.5.1 质量失重率的变化 | 第50-51页 |
| 3.5.2 剩余刚度的变化 | 第51-52页 |
| 3.5.3 剩余强度的变化 | 第52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 应力氧化环境下强界面粘结的UD-CMC力学性能分析 | 第54-74页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 纤维氧化后半径的退化规律 | 第55-58页 |
| 4.3 考虑缺口模型UD-CMC氧化后剩余强度分析 | 第58-64页 |
| 4.3.1 长裂纹间距考虑纤维氧化缺口剩余强度分析 | 第60-62页 |
| 4.3.2 短裂纹间距考虑纤维氧化缺口剩余强度分析 | 第62-63页 |
| 4.3.3 剩余强度预测及结果对比 | 第63-64页 |
| 4.4 考虑缺口模型UD-CMC氧化后剩余刚度分析 | 第64-66页 |
| 4.5 有限元模拟氧化环境下单向C/SiC复合材料的力学性能 | 第66-72页 |
| 4.5.1 有限元建模及模拟实例 | 第66-70页 |
| 4.5.2 不同氧化条件下单向C/SiC复合材料的性能模拟 | 第70-71页 |
| 4.5.3 结果对比及模型评估 | 第71-72页 |
| 4.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 全文总结 | 第74-77页 |
| 5.1 本文主要工作及结论 | 第74-75页 |
| 5.2 研究展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第82页 |
