Ti-Si-N材料薄膜组分扩展方法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| ·氮化硅薄膜 | 第9-10页 |
| ·氮化硅薄膜的结构 | 第9-10页 |
| ·氮化硅薄膜的性质及应用 | 第10页 |
| ·氮化钛薄膜 | 第10-12页 |
| ·氮化钛薄膜的结构和性质 | 第10-11页 |
| ·氮化钛薄膜的应用 | 第11-12页 |
| ·Ti-Si-N纳米复合薄膜 | 第12页 |
| ·组分扩展技术 | 第12-15页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第16-33页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第16-18页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术 | 第18-22页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体源的基本理论 | 第18-19页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射设备 | 第19-22页 |
| ·薄膜生长温度梯度高效优化方法 | 第22-24页 |
| ·掩膜限位连续组分扩展薄膜材料库制备方法 | 第24-25页 |
| ·薄膜的测试及表征方法 | 第25-33页 |
| ·台阶仪 | 第25-26页 |
| ·纳米压痕仪 | 第26-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第28-29页 |
| ·傅里叶变换红外光谱 | 第29-31页 |
| ·等离子体参数测量 | 第31-33页 |
| 第三章 氮化硅薄膜制备 | 第33-44页 |
| ·温度对SiN_x薄膜硬度的影响 | 第33-35页 |
| ·N_2流量对SiN_x薄膜生长特性的影响 | 第35-40页 |
| ·红外吸收光谱分析(FT-IR) | 第35-36页 |
| ·薄膜结构分析(XRD) | 第36-37页 |
| ·薄膜硬度测试 | 第37-38页 |
| ·N_2流量对等离子体参数的影响 | 第38-40页 |
| ·Si靶溅射功率对SiN_x薄膜生长特性的影响 | 第40-43页 |
| ·红外吸收光谱分析(FT-IR) | 第40-41页 |
| ·薄膜结构分析(XRD) | 第41-42页 |
| ·薄膜硬度测试 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 氮化钛薄膜制备 | 第44-48页 |
| ·实验 | 第44页 |
| ·N_2流量对TiN薄膜沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| ·N_2流量对TiN薄膜结构的影响 | 第45-46页 |
| ·N_2流量对TiN薄膜电阻率的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 Ti-Si-N组分扩展薄膜制备与研究 | 第48-56页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第49-50页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第50-51页 |
| ·薄膜结构分析 | 第51-54页 |
| ·薄膜硬度测试 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
