| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 非晶氧化物TFT的发展历程 | 第9-11页 |
| 1.3 本文研究的目的和内容 | 第11-13页 |
| 1.4 本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 第一性原理计算方法及相关物理量 | 第14-24页 |
| 2.1 理论基础 | 第14-18页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似（绝热近似） | 第14-15页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第15-18页 |
| 2.2 计算软件简介 | 第18页 |
| 2.3 计算参数设置及相关物理参量 | 第18-23页 |
| 2.3.1 布里渊区K空间取样 | 第18-19页 |
| 2.3.2 平面波截断能 | 第19-20页 |
| 2.3.3 缺陷形成能 | 第20-22页 |
| 2.3.4 能带结构和态密度 | 第22页 |
| 2.3.5 Mulliken布居分析 | 第22-23页 |
| 2.3.6 差分电荷密度 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 本征态MgAl_2O_4及Mg_2SnO_4的第一性原理计算 | 第24-38页 |
| 3.1 计算模型的建立 | 第24-26页 |
| 3.2 本征态正尖晶石型MgAl_2O_4的几何结构与电子结构 | 第26-32页 |
| 3.3 本征态正尖晶石型Mg_2SnO_4的几何结构与电子结构 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 MgAl_2O_4：Sn及Mg_2SnO_4：Al的第一性原理计算 | 第38-59页 |
| 4.1 计算模型的建立 | 第38-40页 |
| 4.2 Sn、Al杂质缺陷的形成能 | 第40页 |
| 4.3 Sn替位掺杂MgAl_2O_4的几何结构和电子结构 | 第40-49页 |
| 4.4 Al替位掺杂Mg_2SnO_4的几何结构和电子结构 | 第49-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-62页 |
| 5.1 研究总结 | 第59-61页 |
| 5.2 研究展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
