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高压下半导体不同导电机制的研究

摘要第4-7页
Abstract第7-10页
第一章 前言第13-25页
    1.1 高压物理学发展简介第13-14页
    1.2 产生静高压的装置和技术第14-18页
        1.2.1 金刚石对顶砧(DAC)装置第15-16页
        1.2.2 封压垫片第16页
        1.2.3 压力标定方法第16-17页
        1.2.4 传压介质第17-18页
    1.3 高压电学研究的发展和应用第18-22页
        1.3.1 高压电学发展历程第18-20页
        1.3.2 高压电学的应用第20-22页
    1.4 论文选题的目的和意义第22-23页
    1.5 论文各部分的主要内容第23-25页
第二章 高压原位电学参数测量方法和压砧上微电路集成方法第25-40页
    2.1 直流高压电学测量第25-30页
        2.1.1 Van der Pauw法电阻率测量第25-27页
        2.1.2 霍尔效应测量第27-30页
    2.2 高压原位交流阻抗测量第30-33页
    2.3 用于直流电学测量的电极的制备和样品组装第33-38页
        2.3.1 Van der Pauw法四电极的制备第33-36页
        2.3.2 绝缘垫片的制作和压机组装第36-38页
    2.4 用于交流电学测量的电极的制备和样品组装第38-40页
第三章 高压下VO_2电学性质研究第40-50页
    3.1 VO_2的背景研究第40-44页
    3.2 高压下VO_2的电输运行为第44-49页
        3.2.1 VO_2高压直流电阻率测量第44-45页
        3.2.2 VO_2高压变温电阻率测量第45-47页
        3.2.3 VO_2高压原位霍尔效应测量第47-49页
    3.3 本章小结第49-50页
第四章 高压下BaH_2电学性质研究第50-66页
    4.1 BaH_2背景研究第50-53页
    4.2 高压下BaH_2的电输运行为第53-65页
        4.2.1 BaH_2样品交流阻抗测量第53-56页
        4.2.2 压力对BaH_2样品中H~-离子传输性质的影响第56-61页
        4.2.3 BaH_2样品复模数M~*随压力的变化关系第61-63页
        4.2.4 压力对BaH_2样品介电性质的影响第63-65页
    4.3 本章小结第65-66页
第五章 高压下KH_2PO4电学性质研究第66-81页
    5.1 KH_2PO4背景研究第66-69页
    5.2 高压下KDP的电输运行为第69-79页
        5.2.1 高压下KDP样品交流阻抗测量的Nyquist图和Bode图第69-72页
        5.2.2 压力对KDP样品中质子(H+)传输性质的影响第72-74页
        5.2.3 KDP样品界面效应和质子(H+)传输距离随压力的变化关系第74-79页
    5.3 本章小结第79-81页
第六章 多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料(MWCNT/PVDF复合材料)电学性质研究第81-90页
    6.1 MWCNT/PVDF复合材料背景研究第81-82页
    6.2 高压下MWCNT/PVDF复合材料的电输运行为第82-88页
        6.2.1 交流阻抗测量的Nyquist图第82-83页
        6.2.2 压力对MWCNT/PVDF复合材料中的离子导电过程和电子导电过程的影响第83-86页
        6.2.3 压力对MWCNT/PVDF复合材料中离子和电子导电份额的影响第86-88页
    6.3 本章小结第88-90页
第七章 总结与展望第90-93页
参考文献第93-103页
作者简介及在学期间所取得的科研成果第103-105页
致谢第105页

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